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标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布
 评论 ⋅  2025-04-17 15:22
MaM发表深圳大学刘新科团队综述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技术
 评论 ⋅  2025-04-14 19:17
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高
 评论 ⋅  2025-04-08 15:43
鲁晶半导体与山东大学共建碳化硅功率器件产学研合作新生态
 评论 ⋅  2025-04-07 15:28
闻泰科技：公司预计包括SiC、GaN和IGBT在内的高压功率器件和模拟芯片产品将从2025年底开始逐步放量
 评论 ⋅  2025-03-28 15:02
西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展
 评论 ⋅  2025-03-11 16:31
泰克科技张欣：新型功率器件的特性表征 |CASICON重庆站
 评论 ⋅  2025-03-05 14:18
报告前瞻| 阳光电动力万富翔：新一代功率器件并联技术在电驱系统的应用
 评论 ⋅  2025-02-26 16:18
CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准
 评论 ⋅  2025-02-26 11:00
长飞先进半导体申请功率器件及相关专利，降低功耗
 评论 ⋅  2025-02-24 10:29
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
 评论 ⋅  2025-02-05 10:42
中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
 评论 ⋅  2025-01-22 10:39
中国太空科技新突破！首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
 评论 ⋅  2025-01-22 09:36
总投资10亿元，芯瓷科技半导体功率器件用DPC陶瓷基板项目投产
 评论 ⋅  2025-01-20 17:26
世界首个采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投运
 评论 ⋅  2025-01-06 19:07
昌龙智芯半导体功率器件项目投资超5亿元
 评论 ⋅  2024-12-31 15:59
行业Top级厂商齐聚功率器件展区！CSE 2025等您来探！
 评论 ⋅  2024-12-27 19:41
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
南京大学在宇航用抗辐照GaN功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-18 20:06
碳化硅功率器件及其封装技术（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-10 15:02
碳化硅功率器件及其封装技术发展探讨（一）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-09 11:40
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
平湖实验室何光泽：面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 13:52
博睿光电梁超：功率器件封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:02
国宇电子功率器件项目签约扬州
 评论 ⋅  2024-11-14 17:41
湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封装技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-11-07 10:01
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
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