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深圳为半导体行业搭建
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奕斯伟“定盘沟槽清洁装置、清洁方法和研磨设备”
专利
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奕斯伟“晶圆倒角装置和晶圆倒角方法”
专利
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泰科天润“一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS及其制备方法”
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公布
安徽格恩半导体申请氮化镓基半导体激光器元件
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,提升限制因子
晶合集成获得实用新型
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授权:“一种半导体芯片的测试装置”
三星收购部分英特尔半导体
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权
驰芯半导体“一种用于UWB的定时恢复方法及装置”
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获授权
敏芯股份入选江苏省国家
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产业化样板企业培育库
光谷这些高校、企业获中国
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奖
晶盛机电获得发明
专利
授权:“碳化硅晶锭激光切割方法及切割系统”
上海积塔半导体取得半导体结构
专利
,提升开关驱动效率
北方华创“半导体设备的工艺腔室”
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专利
公开 | 多家单位半导体激光器相关
专利
申请/授权公开
甬矽电子获得发明
专利
授权:“半导体封装方法和半导体封装结构”
晶合集成获得发明
专利
授权:“半导体结构及其制作方法”
派恩杰“一种碳化硅晶圆衬底的制备方法及碳化硅晶圆衬底”
专利
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中科飞测“转换关系获取方法、检测方法和相关设备”
专利
公布
泰科天润“一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”
专利
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瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法
专利
,降低器件动态损耗
长光华芯“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”
专利
公布
重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法
专利
,提高开关速度与线性区能力
苏州晶湛半导体申请发光器件相关
专利
,提高了发光器件生产良率
三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”
专利
公布
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及应用
专利
,有效提高所制得碳化硅晶体的质量
广东比亚迪节能科技申请MEMS器件及其封装方法
专利
,降低主体晶圆与衬底晶圆封装难度
苏州长光华芯取得模式调控半导体发光结构及其制备方法
专利
中科新源半导体“一种半导体芯片升降温用微射流换热装置”
专利
公布
瀚天天成申请降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷
专利
,可提高碳化硅外延片质量
英飞凌科技申请功率半导体器件相关
专利
,提升功率半导体器件性能
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