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晶体材料及元器件厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
 评论 ⋅  2024-12-24 13:52
士兰微“用于LLC谐振变换器的恒流控制电路及恒流控制方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-12-24 10:34
浙之芯申请一种氮化镓传感器及制备方法和装置专利，大大提高氮化镓传感器的制备效率
 评论 ⋅  2024-12-20 15:59
光迅科技高端光电子器件产业基地一期达产
 评论 ⋅  2024-12-20 11:14
上海烨映微电子申请 GaN 晶体管与栅极驱动器合封专利，实现高频能力
 评论 ⋅  2024-12-19 16:26
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
扬杰电子申请提高反向续流的双沟槽SiC MOSFET器件专利，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性
 评论 ⋅  2024-12-19 14:49
上海积塔半导体申请碳化硅晶体管结构及其制备方法专利，有效降低器件VFSD
 评论 ⋅  2024-12-19 14:48
华虹半导体申请集成半导体器件及其制备方法专利，提高芯片整体抗EMI能力
 评论 ⋅  2024-12-19 13:37
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（三） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-18 16:34
CSA半导体激光器专业委员会正式成立，并成功召开第一届一次会议
 评论 ⋅  2024-12-18 15:37
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-17 16:33
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（一） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-16 17:13
吴伟东：SiC功率MOSFET老化检测智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2024-12-16 10:45
光谷筑芯微电子精密器件智造基地(首开区) 项目喜封金顶！
 评论 ⋅  2024-12-13 09:23
“2024年度（第十七届）华强电子网优质供应商&电子元器件行业优秀国产品牌评选”进入公众投票阶段
 评论 ⋅  2024-12-13 07:11
镓和半导体李山： 氧化镓PECVD外延生长及光电信息感知器件研究
 评论 ⋅  2024-12-12 15:51
碳化硅功率器件及其封装技术（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-10 15:02
专家说丨化合物半导体器件的三大方向进展
 评论 ⋅  2024-12-10 11:36
埃米仪器获数千万元Pre-A轮融资
 评论 ⋅  2024-12-10 11:15
碳化硅功率器件及其封装技术发展探讨（一）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-09 11:40
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
化合物半导体激光器技术及应用发展 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-04 14:15
平湖实验室何光泽：面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 13:52
众专家学者探讨氮化镓射频电子器件与应用的进展与趋势 |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 15:21
康美特庞凯敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封装材料 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:15
博睿光电梁超：功率器件封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:02
姚威振：新型MOCVD反应器设计，促进GaN材料创新发展 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 13:58
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