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新成果！深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
 评论 ⋅  2025-06-13 09:47
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高
 评论 ⋅  2025-06-09 08:11
中国科大研制出一种全方向表面等离子体波照明器件
 评论 ⋅  2025-06-06 07:54
半导体所在植入式脑机接口器件研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2025-06-03 09:29
大连理工大学团队：通过提高晶体质量增强 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电突触可塑性
 评论 ⋅  2025-05-27 16:50
中科院苏州纳米所孙钱团队与合作者在氮化镓紫外探测领域取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-27 09:33
科研成果| 高整流、超低漏p-Si/n-AlN异质结PN二极管
 评论 ⋅  2025-05-23 13:37
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
1250mW、BLG 展示创世界纪录的单模 GaN 激光器
 评论 ⋅  2025-05-19 17:16
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
中国科学院微电子所在碳硅三维异质集成器件上取得进展
 评论 ⋅  2025-05-07 09:19
中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-06 09:32
高纯硅粉制备氮化硅陶瓷
 评论 ⋅  2025-04-30 10:54
连科半导体8吋/12吋SiC电阻炉及工艺成套技术取得突破
 评论 ⋅  2025-04-29 20:10
中国科学院半导体所在二维阵列激光器方面取得重要进展
 评论 ⋅  2025-04-25 13:59
金刚石高温日盲紫外探测器取得新进展
 评论 ⋅  2025-04-23 17:14
晶圆级高精度倒装键合机采购招标公告
 评论 ⋅  2025-04-22 08:45
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
九峰山实验室推氧化镓科研级功率单管及coupon to wafer流片平台
 评论 ⋅  2025-04-18 23:35
山东大学/晶镓半导体成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底
 评论 ⋅  2025-04-18 12:02
厦门大学-厦门市未来显示技术研究院团队在钙钛矿窄带光电探测器研究中取得重要突破
 评论 ⋅  2025-04-14 17:22
中国科学技术大学团队研制出毫秒级可集成量子存储器
 评论 ⋅  2025-04-12 14:38
中国科学院提出新型平面型面发光有机发光晶体管器件结构
 评论 ⋅  2025-04-11 16:23
三星启动1nm工艺研发 2029年后量产
 评论 ⋅  2025-04-09 16:49
中南大学何军、钟绵增，浙江大学李京波：通过调控电场分布实现高均匀性的耐高压晶圆级4H-SiC紫外光电探测器
 评论 ⋅  2025-04-08 15:28
中国科学技术大学在日盲紫外光电探测器研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-04-07 18:59
联合微电子中心研发硅光集成光纤陀螺芯片成功下线
 评论 ⋅  2025-04-07 18:52
中国科学院关于EDA技术创新的三篇论文被DAC2025录用
 评论 ⋅  2025-04-03 09:58
中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展
 评论 ⋅  2025-04-03 09:53
全球首发！复旦团队研制二维半导体芯片“无极”
 评论 ⋅  2025-04-03 09:21
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