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高温工作垂直腔面发射半导体
激光
器现状与未来
中科院半导体所赵德刚团队研制出室温连续功率2W的GaN基大功率紫外
激光
器
首个集成在铌酸锂芯片上的
激光
器面世
6英寸晶圆高功率半导体
激光
芯片量产线
中科院物理所陆凌团队研制出了性能指标具佳的拓扑腔面发射
激光
器
上海光机所提出可见
激光
材料暗化问题解决新方案
长光所在量子陀螺专用垂直腔面发射
激光
器研制和应用方面取得进展
碳化硅
激光
剥离设备国产化 中电科二所取得突破性进展
我国半导体
激光
隐形晶圆切割技术重大突破:100nm 提升至 50nm
半导体激光
隐形晶圆
切割技术
重大突破
100nm
50nm
南科大陈锐课题组在钙钛矿材料的结构自修复及稳定
激光
输出取得研究进展
中科院上海光机所等在室温亚波长微纳
激光
尺寸研究中获进展
中国科学院
上海光机所
室温
亚波长
微纳激光尺寸
研究
苏州纳米所孙钱团队研制出一种新型氮化镓半导体
激光
器
苏州纳米所
孙钱
研制
新型氮化镓
半导体
激光器
欧司朗宣布新一代LiDAR红外
激光
器即将问世,自动驾驶进入新“视界”
用氮化镓消除
激光
雷达的障碍
周期倍增锁模光纤
激光
器研究获进展
周期倍增
锁模
光纤
激光器
研究
第三代半导体SIC晶圆的
激光
内部改质切割技术
台湾交通大学
激光
60周年系列专文:介绍GaAs及GaN VCSEL
台湾交通大学
激光60周年
GaAs
GaN
VCSEL
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页/共
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