我国半导体激光隐形晶圆切割技术重大突破:100nm 提升至 50nm

日期:2021-09-30    
核心提示:旗下郑州轨道交通信息技术研究院联合河南通用智能装备有限公司,用一年时间完成了半导体激光隐形晶圆切割设备的技术迭代,分辨率由 100nm 提升至 50nm,达到行业内最高精度,实现了晶圆背切加工的功能,大幅提升芯片生产制造的质量、效率、效益。
半导体产业被称为国家工业的明珠,现在国家和各大企业开始攻关半导体技术,而其中晶圆切割则是半导体封测工艺中不可或缺的关键工序。
 
中国长城29日宣布,旗下郑州轨道交通信息技术研究院联合河南通用智能装备有限公司,用一年时间完成了半导体激光隐形晶圆切割设备的技术迭代,分辨率由 100nm 提升至 50nm,达到行业内最高精度,实现了晶圆背切加工的功能,大幅提升芯片生产制造的质量、效率、效益。
此外,他们还宣布将持续优化工艺,在原有切割硅材料的技术基础上,实现了加工 CIS、RFID、碳化硅、氮化镓等材料的技术突破,对进一步提高我国智能装备制造能力具有里程碑式的意义。
 
2020年5月,研制出了我国首台半导体激光隐形晶圆切割机成功填补国内空白。这款切割机在关键性能参数上处于国际领先水平,标志着我国半导体激光隐形晶圆切割技术取得实质性重大突破,相关装备依赖进口的局面被打破。
 
据介绍,该装备可广泛应用于高能集成电路产品,包括 CPU 制造、图像处理 IC、汽车电子、传感器、新世代内存的制造,对解决我国半导体领域内高端智能装备“卡脖子”问题起到显着作用。
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