9月26-28日，“2025新一代半导体晶体材料技术及应用大会”将在云南昆明举办。届时，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）将亮相本次盛会（展位号：S16）。同时，江苏第三代半导体研究院/国家第三代半导体技术创新中心（苏州）异质集成先进技术研发中心主任梁剑波将出席论坛，并带来《GaAs与Si及GaN的常温异质接合研究》的主题报告。值此，诚挚邀请行业专家学者、业界同仁莅临现场，进行深入的交流与探讨。
嘉宾简介
梁剑波，现任江苏第三代半导体研究院/国家第三代半导体技术创新中心（苏州）异质集成先进技术研发中心主任，苏州晶和半导体科技有限公司董事长兼技术总监，并兼任大阪公立大学教授、博士生导师。2009年与2012年分别获得日本名古屋工业大学硕士和博士学位，之后在大阪市立大学电力电子实验室从事博士后研究，2015年起留校任教，2017年曾赴英国布里斯托大学合作研究。长期专注于第一至第四代半导体材料（金刚石、Si、GaAs、GaN、SiC、Ga₂O₃等）的异质集成与常温直接键合技术研究，开创性地实现了金刚石与多种半导体材料在室温下的高强度、低热阻结合，解决了宽禁带与超宽禁带半导体器件散热和集成的关键难题。他主持和参与包括日本学术振兴会（JSPS）、新能源产业技术综合开发机构（NEDO）、日本科学技术振兴机构（JST）等资助的12项科研项目。在 Advanced Materials、Nature Communications、Small 等期刊发表论文150余篇，申请专利12项，出版专著2部。在产业化方面，他推动12英寸常温键合装备研发与量产，建立了金刚石基GaN晶圆、3D集成装备及宽禁带器件的产业化路线。其成果已应用于半导体CMOS图像传感器和功率器件。目前正致力于4英寸及8英寸金刚石基GaN晶圆研发与产业化，为下一代高功率、高频率器件与先进封装提供支撑。
报告题目：GaAs与Si及GaN的常温异质接合研究
报告摘要：GaAs具有较高的电子迁移率和优异的光学特性，已广泛应用于光电子器件和高速电子器件。然而，当其与成本低廉、易于实现大尺寸化的Si基板，或具有高耐压、高功率特性的GaN基板进行异质集成时，仍面临诸多挑战。首先，在GaAs与Si的异质接合中，约4.1%的晶格常数差会导致界面产生大量位错和缺陷，这是最大的技术障碍。此外，两者热膨胀系数不匹配，在加热工艺中容易引发较大的应力和翘曲，进而导致界面剥离或结合强度下降。同时，Si表面极易形成天然氧化膜，也会阻碍界面结合。而在GaAs与GaN的异质接合中，晶体结构差异引发的晶格失配、热导率差异、表面化学特性的不同，以及能带结构不匹配引起的界面电荷积累，都会对接合质量与器件性能造成不利影响。为克服这些困难，研究者们尝试采用常温直接接合技术，并取得了重要成果。传统上，GaAs与其他半导体材料的集成需要高温工艺，但热膨胀系数差异带来的应力和界面缺陷始终是难以突破的瓶颈。通过引入表面活化接合技术（Surface Activated Bonding, SAB），利用等离子体或离子束去除表面氧化层与杂质，在原子尺度上实现界面的清洁与高活性，从而在室温条件下实现了原子级的结合。研究显示，GaAs与Si、GaN的常温接合技术突破了传统热学与力学限制，成功实现了高质量的半导体异质集成，并为光电子与功率电子领域提供了一种具有革新性的技术平台。
单位简介
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）【以下简称国创中心（苏州）】围绕落实国家科技创新重大任务部署，打造国家战略科技力量，以关键技术研发为核心使命，聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，促进各类相关创新主体和创新要素有效协同、形成合力，集聚全国优势力量为第三代半导体产业提供创新源头技术供给，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈，实现在电力电子、微波射频和光电子等领域的应用突破，输出高质量科技创新成果，辐射带动形成一批具有核心竞争力的创新企业，贯通创新链、技术链、人才链和产业链，培育发展新动能，加快我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。国家第三代半导体技术创新中心（苏州）于2021年3月获科技部批复支持建设，江苏第三代半导体研究院为国创中心（苏州）的建设主体单位。
国创中心（苏州）聘请郝跃院士担任中心主任，核心研发和运营团队近300人；获批建设国家级博士后科研工作站、江苏省创新联合体、江苏省人才攻关联合体；围绕国创中心建设使命，聚焦第三代半导体产业关键共性技术，通过协同共建，建设具有国际先进水平、开放共享的公共研发支撑平台，覆盖材料、工艺、器件、封装、模块、测试分析全产业链，逐步形成系统级全产业链支撑服务能力，为产业提供“全站式”创新服务，已累计合作服务全国200多家机构和企业。以市场化机制协同优势创新资源联合攻关，面向关键应用领域全国范围内合作共建37家联合研发中心、协同创新中心，在大尺寸氮化镓材料、全彩 Micro-LED、同质外延技术、可见光通讯（VLC）等关键技术取得重大突破，累计布局核心专利近400项，引进孵化创新团队超过50个，加速创新资源快速集聚，促进第三代半导体产业高质量创新发展。
产品介绍
1.半导体外延片产品
同质外延：
同质外延技术可制备高质量超薄外延层，是高性能激光器、深紫外LED及高压功率器件的关键工艺，主要应用与光电子、电力电子和紫外探测等领域。
覆盖2-4英寸氮化镓同质外延产品
技术特点：高晶体质量（缺陷密度较一致衬底低3-4个数量级）、极低应力
异质外延：
异质外延是通过在异质衬底（如蓝宝石、硅和碳化硅）上生长氮化镓（GaN）薄膜的技术，突破晶格失配限制，实现高性能材料生长。该技术是制造高效功率电子、5G射频器件及Micro-LED的核心工艺，广泛应用于新能源汽车、通信和显示领域。
覆盖2-8英寸氮化镓外延产品
技术能力：生产技术和产品性能达到国内领先水平
2.器件工艺
器件工艺平台是国创中心（苏州）的重要研发平台之一，联合了20多家装备龙头企业，建成国内首个第三代半导体工艺与装备开放共享的公共验证平台，涵盖光刻、刻蚀、薄膜沉积等全链条工艺，支撑微波射频、电力电子等器件研发。
3.材料/失效分析测试
测试分析与服役评价平台旨在建成第三代半导体领域的国家级创新型测试分析中心，推动我国第三代半导体测试技术、测试装备、测试标准和认证体系迈向国际一流水平，加快新质生产力成果转化，助力第三代半导体产业创新突破。
平台现有大型专业设备30多台套，具备材料分析、显微结构、光电性能、失效分析等测试功能；拥有一支30多人的技术专家团队，自主开发包括显微缺陷、微纳结构、杂质成分、光电特性、失效模式和失效机制的系统性解决方案，可为客户提供专业、可靠的一站式解决方案。平台在支撑自身研发任务及合作项目的基础上，已累计为500余家企业、高校和研发机构提供专业高效的测试分析服务。
四大特色技术
附会议信息：
【会议时间】 2025年9月26-28日
【会议地点】云南·昆明
【指导单位】
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
【主办单位】
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
极智半导体产业网（www.casmita.com）
半导体照明网(www.china-led.net)
第三代半导体产业
【承办单位】
云南鑫耀半导体材料有限公司
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
【支持单位】
赛迪智库集成电路研究所
中国科学院半导体研究所
云南大学
山东大学
云南师范大学
昆明理工大学
晶体材料全国重点实验室
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【关键材料】
1、锗、硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
2、氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
3、氮化铝、金刚石、氧化镓等超宽禁带半导体材料生长与加工关键技术、器件工艺及应用研究；
【主要方向】
1.化合物半导体单晶与外延材料
（砷化镓，磷化铟，氮化镓，碳化硅，氮化铝，氧化镓，氮化硼，蓝宝石，铌酸锂等晶体、外延生长及模拟设计等）
2. 硅、高纯锗及锗基材料
（大硅片生长及及应用，直拉法或区熔法等单晶生长，原料提纯，GeSi、GeSn、GeC 等多元单晶薄膜，切片与机械抛光，掺杂调控离子注入等）
3.高纯金属、原辅料制备及晶体外延生长与加工关键装备
（高纯前驱体，高纯试剂，高纯气体，高纯粉体， 长晶炉，MOCVD, MBE, LPE，PVT 等外延生长装备，Mo源，MBE 源， 石墨，切割，研磨及抛光设备与材料，检测设备等）
4.测试评价及AI for Science
（AI 驱动的测试评价革新， 缺陷工程与掺杂策略、晶体生长智能调控、缺陷实时检测与修复，多尺度建模，绿色制造优化 等）
5.光电子器件工艺与应用
（发光二极管，激光二极管，光电探测器件，太阳能电池，照明与显示，激光雷达，光通信，量子技术等）
6.通讯射频器件工艺与应用
（功率放大器，低噪声放大器，滤波器，开关器件，移动通信，卫星通信，低空飞行器，无人机，射频能量等）
7.能源电子及应用
（风电&光伏&储能新能源，电动汽车，数据中心，工业电源，电机节能，轨道交通，智能电网，航空航天，工业控制，变频家电，消费电子，仪器仪表等）
8.绿色厂务及质量管控
（洁净厂房，高纯水制备，化学品供应，特气供应，废气处理及排放，废液处理，大宗气体供应及质量管控等）
【程序委员会】
大会主席：惠峰 （云南锗业）
副主席：陈秀芳（山东大学）、赵璐冰（CASA)
委员：赵德刚（中科院半导体所）、康俊勇（厦门大学）、 徐宝强（昆明理工）、皮孝东（浙江大学）、耿博（CASA)、王军喜（中科院半导体所）、孙钱（中科院苏州纳米所）、王垚浩（南砂晶圆)、 涂洁磊（云师大）、王宏兴（西交大）、彭燕（山东大学）、李强（西交大）、宁静（西电）、修向前（南京大学）、郭杰（云师大）、王茺（云南大学）、邱峰（云南大学）、杨杰（云南大学）、谢自力（南京大学）、葛振华（昆明理工大学）、田阳（昆明理工大学）、魏同波（中科院半导体所）、许福军（北京大学）、徐明升（山东大学）、孙海定（中国科学技术大学）、田朋飞（复旦大学）、刘玉怀（郑州大学）、朱振（浪潮华光）、杨晓光（中科院半导体所）、高娜（厦门大学）、陈飞宏（云南锗业）、康森（天通控股）、解楠（赛迪研究院 )、房玉龙（中电科十三所）、邓家云（昆明理工大学）、李宝学（云锗红外） ......等
【日程安排】
【拟参与单位】
中科院半导体所、鑫耀半导体，南砂晶圆，蓝河科技，天通控股，中电科十三所，南京大学，厦门大学，士佳光子，云锗红外，昆明理工大学，西安电子科技大学，中科院物理所，中电科四十八所，陕西源杰，九峰山实验室，中微公司，矢量集团，晶盛机电，连科半导体，晶澳太阳能 美科太阳能 高景太阳能 中研科精密 华夏芯智慧光子，国联万众，凝慧电子，晶湛半导体，英诺赛科，中光睿华，连城数控，云南大学，阿特斯阳光电力，山东大学，云南师范大学，中科院技物所，隆基电磁， 晶镓半导体，南砂晶圆、西安聚能超导，苏州纳维，中科院物理所，浙江大学，云南锗业，通美晶体，三安光电，电子科技大学，深圳平湖实验室，中科院长春光机所，广东工业大学，南方科技大学， 隆基绿能，合盛硅业，中光睿华，复旦大学，中国科学技术大学， 西安交通大学，江苏第三代半导体研究院， 光迅科技，镓和半导体 全磊光电 新易盛 昆明物理所，科友半导体，STR，河北同光，香港科技大学，深圳纳设 中科院苏州纳米所，中科院上海光机所，哈工大等等
【活动参与】
1、注册费：会议通票2800元；早鸟票：9月20日前注册报名2600元；（含会议资料袋，9月27日午餐、晚宴，9月28日午餐等 ）。
2、缴费方式：
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②在线注册
扫码注册报名
③现场缴费（微信+支付宝）
【论文投稿及报告咨询】
贾老师:18310277858，jiaxl@casmita.com
李老师:18601994986，linan@casmita.com
【参会参展及商务合作】
贾先生:18310277858,jiaxl@casmita.com
张女士:13681329411,zhangww@casmita.com
【会议酒店】
酒店名称：昆明亿壕城堡温德姆至尊酒店
酒店地址：中国（云南）自由贸易试验区昆明片区经开区枫丹白露花园
协议价格：430元/晚（含双早）
酒店预定联系: 陈经理，13759452505(微信同号）
邮箱：13759452505@139.com
