长飞先进武汉基地SiC项目

日期:2024-09-12 阅读:271
核心提示:9月10日,长飞先进官微消息,公司武汉基地主楼全面封顶。据了解,该基地总投资超200亿元,占地面积约22.94万平方米,建筑面积约3

9月10日,长飞先进官微消息,公司武汉基地主楼全面封顶。 

据了解,该基地总投资超200亿元,占地面积约22.94万平方米,建筑面积约30.15万平方米,项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域,致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。并且项目达产后,预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块。目前,晶圆厂、封测厂、外延厂、宿舍楼和综合楼已实现封顶;预计十月开始,长飞先进武汉基地将迎来首批设备搬入的重要节点,并于明年6月实现量产通线。

 

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