法国创新半导体材料领先企业Soitec近日发表公告，其在法国格勒诺布尔附近的伯宁举行了新工厂落成仪式。此前2022年3月消息，Soitec宣布在法国伯宁总部建设Bernin 4新工厂，致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圆。同年3月该工厂举行了奠基仪式。
根据法国媒体的报道，该工厂投资额为3.8亿欧元（约30亿人民币），其中30%由法国和欧洲援助承担。根据公告，该工厂占地面积2500平方米，2028年全部达成后可年产50万片，其中80%专用于SmartSiC晶圆，20%生产300mm SOI晶圆。
该公司表示，新工厂将专门生产电动汽车所需要的SmartSiC衬底，Soitec开发的SmartCut技术可使SiC器件电气性能提高了15%-20%，衬底的消耗量减少了十分之一。
具体而言，通过SmartSiC™技术的应用，每个SiC衬底可以使用10次。因此，SmartSiC™使电动汽车的续航里程超过500公里，而使用硅基IGBT的汽车平均续航里程为350公里，同时与单晶SiC衬底相比，晶圆制造过程中的二氧化碳排放量减少了70%。
Soitec 首席执行官Pierre Barnabé 表示：“我们比以往任何时候都更愿意将SmartSiC技术建立为下一代电动汽车半导体材料的新标准。该工厂将使我们能够满足对碳化硅不断增长的需求，并到2030年实现30%的市场份额，同时帮助提高电动汽车的效率和降低价格。”
现阶段，Bernin 4新工厂主要生产6英寸SiC晶圆，计划从2024年开始迁移到8英寸晶圆。新工厂的第一个测试样品和资格认证将在2个月内开始发货，计划于2024年春末开始大批量交付。
(来源：PSD功率系统设计)
