IFWS 2022看点前瞻:射频电子材料与器件

日期:2022-10-20 来源:半导体产业网阅读:717
核心提示:2022年11月7-10日, 一年一度行业盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS 2022)第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 202

2022年11月7-10日, 一年一度行业盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS 2022)&第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2022)将于苏州国际博览中心召开。其中,射频电子材料与器件技术分会作为重要分论坛,目前已经确认最新报告嘉宾正式出炉!

射频分会 (1)

第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在新一代移动通信等领域应用潜力巨大。GaN 已成为射频功率应用中 LDMOS 和 GaAs 的重要竞争对手,其性能和可靠性不断提高且成本不断降低。

据组委会透露,作为IFWS 2022的重要分会之一,射频电子材料与器件分会主题涵盖氮化镓微波器件及其芯片设计及在移动通信中的应用等各方面。分会由中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家陈堂胜,中国电子科技集团公司第五十八研究所所长蔡树军,苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千,中国科学院半导体研究所副所长、研究员张韵,日本德岛大学教授、江南大学教授敖金平,南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇,中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任冯志红,中兴通讯股份有限公司无线射频总工刘建利等业内知名专家共同召集。

目前分会已经确认有来自:澳大利亚麦考瑞大学、日本京都大学、南京国博电子股份有限公司、南京理工大学、苏州能讯高能半导体有限公司、中国电科十三所、山东大学新一代半导体材料研究院、中兴通讯、北京昂瑞微电子技术股份有限公司、西安电子科技大学等科研院校与代表企业的知名企业专家代表共同参与,将围绕射频电子材料与器件技术分享主题报告。

目前确认报告嘉宾如下:(仍有部分嘉宾报告正在确认中):

·Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact model

Sourabh Khandelwal--澳大利亚麦考瑞大学

·TBD

Naoki Shinohara--日本京都大学教授

·5G移动通信用化合物器件研究

钱峰--南京国博电子股份有限公司副总经理

·28GHz氮化镓基时间调制波束成形系统

黄同德--南京理工大学副教授

·氮化镓推动5G、射频能源及其他领域的创新

裴轶--苏州能讯高能半导体有限公司副总裁

·TBD

蔡小龙--中兴通讯高级技术预研工程师

·电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs

崔鹏--山东大学新一代半导体材料研究院 研究员

·47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计

杜鹏搏——中国电科十三所正高级工程师、河北新华北集成电路有限公司副总经理

·国产突破,中国射频前端产业引领5G 芯时代

黄鑫——北京昂瑞微电子技术股份有限公司副总裁

·基于双通道AlGaN/GaN FinFET结构的高线性射频器件研究

李昂——西安电子科技大学

部分嘉宾简介

 

Naoki Shinohara,日本京都大学教授。他于1996年获得了日本京都大学博士学位,并先后在京都大学的空间射频研究中心和人类生存圈研究所从事太阳能卫星和无线能量传输等方向的研究,研究领域包括无线电力传输、微波电力传输和太阳能电力卫星等。他是IEEE、URSI、IEICE、IEEJ、WiPoT等协会会员,并作为IEEE杰出演讲人在世界多个知名高校展开以"无线能量传输"为主题的讲座。

钱峰 

钱峰,南京国博电子股份有限公司副总经理。研究员级高级工程师。1993年6月至2001年12月,历任中国电科五十五所一部二室助理工程师、工程师;2001年12月至2006年6月,历任中国电科五十五所一中心高级工程师、研究员级高级工程师;2006年6月至2011年3月,历任中国电科五十五所集成电路设计部副主任、主任;2011年3月至2012年2月,任国博有限副总经理;2012年2月至2015年3月,任中国电科五十五所单片电路设计部主任;2015年3月至2018年9月,任中国电科五十五所副总工程师;2018年9月至2020年12月,任国博有限副总经理;2020年12月至今,任南京国博电子股份有限公司副总经理。 

裴轶 

裴轶  苏州能讯高能半导体有限公司副总裁。2004年北京大学本科毕业,2009年获加州大学圣巴巴拉分校博士学位。现任苏州能讯高能半导体有限公司联合创始人兼技术副总裁,正高级工程师。国家万人计划-科技创新领军人才,国家第三代半导体技术创新中心第一届技术专家委员会委员,第三代半导体联盟标准委员会委员。IEEE高级会员,中国电子学会高级会员,中国电源学会元器件专业委员会委员,苏州大学产业教授。研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓材料、工艺、可靠性和非线性模型等。发表和共同发表了100余篇期刊和会议论文,累计申请专利150余项。

崔鹏 

崔鹏,山东大学新一代半导体材料研究院 研究员。2018年6月获山东大学微电子学院博士学位。2018年7月至2021年7月在美国University of Delaware电子与计算机工程系从事博士后研究。主要从事宽禁带半导体器件制备与研究,在低功耗器件、射频器件、功率放大器线性度等方面取得了一些较有影响力的国际指标性成果:首次在氮化镓(GaN)高电子迁移率场效应晶体管(无栅介质层)上实现亚阈值摆幅低于理论极限,其亚阈值摆幅可达到30 mV/dec, 为目前报道的无栅介质的GaN HEMT最低值,促进了GaN开关器件的功耗降低和尺寸缩小;制备出国际最高功率截止频率特性的GaN-on-Si 器件,其功率截止频率可达到270 GHz;研发的硅基InAlN/GaN高电子迁移率场效应晶体管以国际最高的栅长频率乘积值,被 Semiconductor Today, ScienceDaily, everything RF, UDaily等分别报道;首次确立极化库仑场散射与GaN HEMT器件线性度的关联关系,建立器件层级提高GaN功率放大器线性度的可行性方案。迄今为止,在本领域权威期刊IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Scientific Reports, Journal of Applied Physics等发表论文50余篇,其中第一作者SCI论文20篇,申请/授权国家发明专利5项。

黄同德,南京理工大学副教授。研究方向包括化合物微波集成电路芯片(MMIC);CMOS毫米波集成电路芯片;微波器件物理与仿真模型建立。包括功率放大器,混频器,低噪声放大器,本振信号源等,应用目标为雷达制导探测,5G毫米波通信等前端系统;有源无源高频器件建模,服务于芯片设计与系统优化。主持及参与科研项目包括江苏省科技厅重点项目“面向5G毫米波通信的新型GaN基波束形成系统关键技术研发”;国家自然科学基金项目“新型高性能纳秒级恢复时间氮化镓低噪声放大器研究”;留学人员科技创新项目择优资助(B类),“毫米波氮化镓集成收发前端芯片研发”等。目前已发表SCI和EI学术论文26余篇,其中以第一作者身份在相关领域国际顶级期刊IEEE Trans.和Letters上发表论文10篇,五年内论文被引用273次,单篇最高他引次数为52次,所发表成果两次被国际权威半导体期刊《Semiconductor Today》专题重点报道.

Sourabh Khandelwal,澳大利亚麦考瑞大学教授,Khandelwal博士在麦格理大学领导一个充满活力的研究小组,专注于半导体器件建模和仿真。他是CMC GaN RF和功率器件的全球行业标准ASM-HEMT模型的主要作者。他撰写了150多篇论文,并出版了3本关于GaN、FDSOI和FinFET技术的书籍。在此之前,Khandelwal博士曾在加州大学伯克利分校的BSIM小组和IBM半导体研究中心工作。

蔡小龙1

蔡小龙,中兴通讯高级技术预研工程师

杜鹏搏

杜鹏搏,中国电科十三所正高级工程师、河北新华北集成电路有限公司副总经理,中国电科十三所MMIC芯片领域专家,河北省青年拔尖人才。主要从事微波/毫米波集成电路设计、测试及可靠性研究。多项研究成果达到国际先进水平,先后承担国家重大项目10余项,发表相关论文10多篇,申请专利7项。获得中国电科科学技术奖一等奖2项、三等奖2项,国防科学技术进步奖二等奖2项、三等奖1项。

黄鑫 

黄鑫,北京昂瑞微电子技术股份有限公司副总裁。西安电子科技大学微电子学硕士,十五年4G/5G/IoT无线通信芯片研发、规划、推广经验。现任昂瑞微副总裁,负责整个公司的战略发展,产品定位和公共关系等。主导定义了十余款4G/5G射频前端芯片,包括:L-PAMiD/F、L-FEM、MMMB、TxM、PAM等射频前端模组。客户包括荣耀、小米、三星、中兴、摩托罗拉、诺基亚等国内外知名品牌。用于5G手机终端的射频前端芯片,已在国内一线手机厂商实现超七千万颗的规模出货。

 

更多论坛信息:

会议时间:2022年11月7日-10日

会议地点:中国 - 苏州 - 苏州国际博览中心G馆

 

日程安排

分论坛日程图

注册权益收费表

参会注册价格表

备注:*中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

*学生参会需提交相关证件。

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

IFWS相关会议包括:开幕大会,碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件,闭幕大会。

*SSLCHINA相关会议包括:开幕大会,氮化物衬底材料生长与外延技术,固态紫外材料与器件,LED芯片、封装与光通信,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,生物农业光照技术,教育照明与健康光环境,光医疗应用技术,化合物半导体激光器技术,闭幕大会。

*产业峰会包括:柔性显示技术产业高峰论坛、生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会、智慧照明设计与应用峰会。

*若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除一定的退款手续费。

*自助餐包含:11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

论坛线上注册平台

IFWS&SSLCHINA 2022在线注册通道

IFWS&SSLCHINA 2022在线注册通道

*备注:请微信扫码查看并注册,注册成功后可在个人中心查看电子票信息、申请发票、为他人报名、分享海报等等。

论文重要期限及提交方式
目前论坛征文已经进入全文提交阶段,论文全文提交截止:2022年10月15日,作者提交论文扩展摘要(Extended Abstract)及全文,请提交至邮箱 papersubmission@china-led.net 。
点击查看征文详情:SCI期刊+IEEE EI收录-IFWS&SSLCHINA 2022 论文全文征集中!
注:1)官方网站(http://www.sslchina.org或www.ifws.org.cn)提供模板下载,请作者务必按照相应模板和时间要求准备材料,以便顺利通过论文审核。
2) 投稿的录取论文会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表,优秀文章经程序委员会初评后可推荐在Semiconductor Science and Technology (SST)上发表。IEEE是EI检索系统的合作数据库,SST是SCI期刊。 
 
联系方式
论文征集:
白老师
电话:010-82387600-602
邮箱:papersubmission@china-led.net
 
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