总投资10亿元 成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目建设正式启动

日期:2022-08-09 阅读:415
核心提示:半导体产业网获悉 8月8日,成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目建设正式启动。项目总投资约10亿元,建成
半导体产业网获悉  8月8日,成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目建设正式启动。项目总投资约10亿元,建成投产后将为森未科技在内的功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务,包括IGBT芯片、模组及方案组建产品等,实现年营收9亿元。
 
据成都日报报道,该项目占地30亩,计划分两期建设。其中,一期将建设一条8英寸超薄IGBT(绝缘栅双极型晶体管)特色背面晶圆线,一条高端功率半导体集成封装生产线,计划今年年底完成厂房封顶。一期项目建成后,将形成年产120万只功率半导体模块制造能力,10万套集成组件生产能力。
 
据了解,按规划,项目一期计划2022年底完成厂房封顶,2023年6月完成包括洁净厂房在内的所有装修工作。2023年第三季度封装产线进入联调阶段,2023年第四季度投入试生产。2024年第一季度,IGBT背面超薄晶圆特色工艺平台也将投入使用。二期扩产建设预计将于2025年启动。
 
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