三星计划三年内打造 3 纳米 GAA(Gate-all-around)工艺

日期:2022-06-20 阅读:221
核心提示:据 BusinessKorea 报道,三星电子正计划通过在未来三年内打造 3 纳米 GAA(Gate-all-around)工艺来追赶世界第一大代工公司台积
据 BusinessKorea 报道,三星电子正计划通过在未来三年内打造 3 纳米 GAA(Gate-all-around)工艺来追赶世界第一大代工公司 —— 台积电。
 
据悉,GAA 是下一代工艺技术,改进了半导体晶体管的结构,使栅极可以接触到晶体管的所有四面,而不是目前 FinFET 工艺的三面,GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。
 
根据 TrendForce 的数据,在 2021 年第四季度,台积电占全球代工市场的 52.1%,远远超过三星电子的 18.3%。
 
三星电子正押注于将 GAA 技术应用于 3 纳米工艺,以追赶台积电。据报道,这家韩国半导体巨头在 6 月初将 3 纳米 GAA 工艺的晶圆用于试生产,成为全球第一家使用 GAA 技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃,快速缩小与台积电的差距。3 纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了 15% 和 30%,同时与 5 纳米工艺相比,芯片面积减少了 35%。
 
继今年上半年将 GAA 技术应用于其 3 纳米工艺后,三星计划在 2023 年将其引入第二代 3 纳米芯片,并在 2025 年大规模生产基于 GAA 的 2 纳米芯片。台积电的战略是在今年下半年使用稳定的 FinFET 工艺进入 3 纳米半导体市场,而三星电子则押注于 GAA 技术。
 
专家称,如果三星在基于 GAA 的 3 纳米工艺中保证了稳定的产量,它就能成为代工市场的游戏规则改变者。台积电预计将从 2 纳米芯片开始引入 GAA 工艺,并在 2026 年左右发布第一个产品。对于三星电子来说,未来三年将是一个关键时期。
 
最近,三星宣布,在未来五年内,将在半导体等关键行业投资共计 450 万亿韩元(约 2.34 万亿元人民币)。然而,三星在 3 纳米工艺方面遇到了障碍。与三星一样,台积电在提高 3 纳米工艺的产量方面也有困难。
 
台积电原本计划从 7 月开始用 3 纳米技术为英特尔和苹果大规模生产半导体,但在确保理想的产量方面遇到了困难。DigiTimes 报道称,台积电在确保 3 纳米工艺的理想产量方面遇到了困难,因此多次修改其技术路线图。
 
三星电子也面临着类似的情况,3 纳米工艺的试生产用晶圆已经投入使用,但由于产量低的问题,该公司一直在推迟宣布正式的大规模生产。现代汽车证券的研究主管 Roh Keun-chang 说:“除非三星电子为其 7-nm 或更先进的工艺确保足够的客户,否则可能会加剧投资者对三星电子未来业绩的焦虑。”
 
(来源:IT之家)
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