芯塔电子:加快创新驱动,SiC MOSFET助力中国新能源产业发展

日期:2022-05-23 阅读:240
核心提示:以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体功率芯片和器件,以其高压、高频、高温、高速的优良特性,能够大幅提升各类电力电子设备的
半导体产业网消息:以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体功率芯片和器件,以其高压、高频、高温、高速的优良特性,能够大幅提升各类电力电子设备的能量密度,降低成本造价,增强可靠性和适用性,提高电能转换效率,降低损耗。SiC产业目前处于快速发展期,新能源汽车及光伏等领域对SiC MOSFET需求旺盛。然而,SiC MOSFET因技术难度高、研发周期长、研发投入大、人才要求高等因素,国内总体水平还相对比较薄弱,具备研发和量产能力的企业更是凤毛麟角。
面对外界风险挑战,芯塔电子坚持本土创新,加大研发投入,攻坚关键核心技术,面向三代半新赛道加快构建核心技术优势。依靠十多年的技术积累,芯塔电子通过与合作单位共同研发栅介质的核心工艺技术,研究栅氧的物理机理,改进了MOS栅的可靠性和沟道迁移率,使得具有自主的知识产权的SiC MOSFET器件具有更小的导通电阻,性能达到国际先进水平。

芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试
国外知名C公司1200V SiC MOSFE应用测试
 
作为SiC功率器件国产化的先行者,芯塔电子SiC MOSFET的产品设计、制造、封装等各环节均在国内完成。芯塔电子表示,该系列产品加快了中国SiC MOSFET器件的国产化进程(包括自主的IP、材料、设计、工艺等),彰显了我司科技创新的核心竞争力。芯塔电子SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售,包括军工、新能源汽车、充电桩等领域,同时也已获得众多客户的咨询和明确需求,预计今年营收会有爆发性增长。
 
据了解,依靠十多年的技术积累与研发,芯塔电子已形成比较完整的功率器件产品体系,包括6英寸SiC肖特基二极管芯片,650V-1200V 40多种规格的第五代SiC肖特基二极管器件,SiC MOSFET器件和模块。公司目前已积累上百家客户资源,并进入了行业标杆客户。在资本方面,获得了政府的有力支持和头部资源投资,此举将助推公司更加快速的发展。未来,芯塔电子将加快创新驱动,携手国内第三代半导体产业链共同助力中国新能源产业发展。

芯塔电子是国内领先的第三代半导体功率器件和应用解决方案提供商,坚持以自主创新为核心,致力于先进半导体功率器件的国产化。公司拥有业界资深技术团队,创始人倪炜江博士是中国第三代半导体功率器件研发和量产的先驱者之一。核心团队来自浙江大学、中科院、海外知名院校及业界知名公司,具有深厚的产品研发能力和产业化经验。产品应用于风电光伏、高端电源、5G通讯、新能源汽车、充电桩、储能、电能质量治理、工业变频、白色家电等领域。
 
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