半导体设备厂商拓荆科技科创板上市

日期:2022-04-20 来源:半导体产业网综合阅读:233
核心提示:4月20日,国内半导体设备厂商拓荆科技在上海证券交易所科创板上市,公司证券代码为688072,发行价格71.88元/股。据招股书披露,
半导体产业网讯:4月20日,国内半导体设备厂商拓荆科技在上海证券交易所科创板上市,公司证券代码为688072,发行价格71.88元/股。截止收盘,首日大涨28.41%,报92.30元,总市值116.74亿元。
 
据招股书披露,拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。拓荆科技主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
 
财务数据显示,2019年至2021年,拓荆科技的营业收入分别为2.51亿元、4.36亿元和7.58亿元,分别同比增长255.66%、73.38%和73.99%,持续稳健增长。近日,拓荆科技还披露了今年一季度财务数据:当期实现营业收入1.08亿元,同比增长86.21%。从盈利能力来看,拓荆科技2019年至2022年1-3月的销售毛利率分别为31.85%、34.06%、44.01%和47.44%,呈现增长趋势。
 
拓荆科技表示,公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏,在逻辑电路应用领域储备了10纳米以下工艺节点下的通用介质材料工艺薄膜沉积技术、28纳米先进介质材料工艺薄膜沉积技术,在存储芯片领域储备了128层3DNAND和1Y世代DRAM介质薄膜沉积技术,在先进封装和LED显示领域储备了TSV2.5D-IC、3D-IC集成及光电领域所需的介质薄膜沉积技术。公司未来将坚持大额研发投入,不断迭代升级、优化现有设备和工艺,不断推出面向未来发展需求的新工艺、新设备。
 
根据拓荆科技最新发布的上市公告书,本次上市,拓荆科技募资总额高达22.73亿元,扣除发行费用后,募集资金净额为21.28亿元,全部用于先进半导体设备的技术研发与改进项目、高端半导体设备扩产项目、ALD设备研发与产业化项目和补充流动资金。
 
 
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