Intel预计2024年首发20A埃米工艺

日期:2021-09-28     来源:快科技    
核心提示:3月份Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的IDM 2.0战略,其中主要内容就是投资200亿美元在美国建设2座新的晶圆厂。9月24日,基辛格驾驶挖掘机正式给新项目奠基,2024年这些工厂要首发量产20A埃米工艺。
3月,Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的IDM 2.0战略,其中主要内容就是投资200亿美元在美国建设2座新的晶圆厂。9月24日,基辛格驾驶挖掘机正式给新项目奠基,2024年这些工厂要首发量产20A埃米工艺。
 
美国亚利桑那州是Intel晶圆生产的重镇,算上这次的投资,Intel公司40多年来已经在该地区投资了500亿美元,CEO基辛格表示这次的投资代表着Intel致力于在该领域长期投资,帮助美国半导体重回前沿地位。
 
该投资计划预计将创造3000多个高技术、高薪酬的长期工作岗位,以及3000多个建筑就业岗位和大约15000个当地长期工作岗位。
 
Intel公布了这里两座晶圆厂的细节,分别会命名为Fab 52、Fab 62,并首次透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺——这与之前预期的不同,原本以为会量产的是Intel 4这样的下两代工艺。
 
Intel 20A工艺是今年7月份才公布的,是Intel 10/7/4/3工艺之后的升级版,而且首次进入后纳米时代,直接用了埃米(A代表的是?ngstrom,1纳米等于10埃米),技术细节美公布,但字面意义上看20A差不多就是2nm工艺的级别,符合3nm之后的摩尔定律升级规则。
 
20A工艺除了EUV光刻工艺之外,还会有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。
 
根据Intel所说,RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现,它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。
 
PowerVia是Intel特有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。
 
按照规划,20A工艺预计会在2024年量产,届时台积电的2nm工艺应该也会问世,Intel的工艺再次回到前沿水平。 
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