第三代半导体再添一玩家 汽车SiC迈入放量元年

日期:2021-08-06 来源:财联社阅读:486
核心提示:今日,鸿海、旺宏共同召开签约仪式,鸿海以25.2亿新台币(约合5.87亿人民币)收购旺宏新竹6英寸晶圆厂厂房及设备,预计今年年底
 今日,鸿海、旺宏共同召开签约仪式,鸿海以25.2亿新台币(约合5.87亿人民币)收购旺宏新竹6英寸晶圆厂厂房及设备,预计今年年底前完成产权转移。
 
鸿海董事长刘扬伟表示,公司计划将该厂用于研发生产第三代半导体,特别是电动汽车所用的碳化硅(SiC)功率元件。这也是鸿海“3+3”策略中,整合电动汽车和半导体的一个重要里程碑。
 
致力于从“劳力密集”向“脑力密集”转型的鸿海,早已将新能源汽车、半导体等新兴产业作为发展的重点方向。今年4月,刘扬伟就曾表示,除了旺宏6英寸厂之外,鸿海对8英寸厂同样有兴趣,计划积极布局特殊制程芯片和SiC。
 
SiC崛起 新能源汽车成最大增量来源
 
随着电动汽车、智能汽车、5G快速发展,以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体快速崛起。其中,SiC由于具备高甸子饱和速度、极高热导率等特点,以其制成的功率器件性能优异,下游主要应用于新能源车、智能电网等行业。HIS数据显示,2025年SiC功率器件市场规模将达30亿美元。
 
新能源汽车方面,SiC器件可有效延长行驶历程、缩短充电时间、提高电池容量,下游市场的迅速发展也已成为SiC需求的最大增量来源。目前,特斯拉Model 3已搭载SiC逆变器;比亚迪预计到2023年,在旗下电动车中实现SiC 基车用功率半导体的全面替代;英飞凌也在5月推出SiC汽车功率模块。中泰证券分析师张欣预计,2021年汽车领域SiC有望进入放量元年。
 
与第一代半导体硅晶片类似, SiC晶片也在向大尺寸不断发展,提高下游对SiC 片的利用率和生产效率。当前,全球市场上,6英寸SiC衬底已实现商业化,主流大厂也陆续推出8英寸样品。7月27日,意法半导体就宣布,制造出首批8英寸SiC晶圆片。
 
现阶段,SiC的渗透瓶颈主要是成本过高。不过,据CASA统计,SiC价格近几年快速下降,2020年较2017年下降了五成以上。未来,随着6英寸衬底、外延晶片质量提高、8英寸产线实现规模化生产,降本效应有望显现,推进SiC器件和模块普及。
 
成本这座山还未越过,SiC也还要面对产能这条大河。虽然厂商纷纷发力扩产,但东兴证券分析师吴昊、陈宇哲指出,由于下游市场发展超过预期,国内现有产品商业化供给无法满足需求,SiC电力电子和射频存在较大缺口。供给端已成为碳化硅重要制约因素,技术优势带来的稳定产能将是厂商重要的竞争力。
国内SiC相关厂商中:
 
露笑科技、三安光电已布局SiC衬底;
 
斯达半导3月宣布加码车规级SIC模组产线;
 
比亚迪半导体、闻泰科技、华润微等也有从事SiC器件。
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