此前本报曾报道，1月27日，富能功率半导体项目已经实现产品下线，有媒体称“标志着山东首条芯片加工制造线进入实际生产阶段”。项目第一期一阶段投产后，将有望达到年产36万片8英寸硅基功率器件（MOSFET Super Junction IGBT）和1万片6寸碳化硅功率器件（SIC MOSFET）的生产能力。据此前公布数据，仅第一期的投入金额就高达60亿元。
据悉，富能功率半导体项目规划总占地面积630亩，共分三期建设。富能功率半导体项目生产的各类晶体管产品，可广泛应用于消费电子、新能源装备和汽车电子等领域。据承建方中铁十四局披露的信息，要生产芯片这种高精密产品，对工厂标准要求极高，该项目技术标准高出国家验收标准的4倍，洁净度最高达到普通手术室的10-100倍，“芯片生产厂房对地基的要求非常高，微米级震动控制甚至需要把飞机起落震动的影响都考虑进去。”
在该项目上，济南国资方面“着墨”颇多，济南高新控股集团有限公司2019年预付济南富能半导体方面的款项达到12.75亿元。其2020年报表明，济南高新控股集团有限公司在富能半导体方面已经注资22.95亿元。
