增幅46.6%!砷化镓大厂宏捷科看好WiFi 6,大幅增产

日期:2021-01-06 来源:经济日报阅读:380
核心提示:氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。
 
砷化镓大厂宏捷科看好今年WiFi 6及5G市场需求快速升温,规划今年将大幅度扩产,月产能将由1.5万片扩张至2.2万片,增幅46.6%。
 
宏捷科去年7月新厂房落成时已有一波扩产动作,当时月产能由1.2万片陆续推升至去年底的1.5万片。据悉,宏捷科的WiFi 6主要客户是立积,由于今年需求比去年更盛,扩产的部分原因是为了满足客户需求。
 
PA方面,宏捷科现阶段以4G PA为营收主力,并于前年开始开发5G PA,历经去年练兵期之后,估计今年下半年有望量产。此外,宏捷科今年第2季可望跨入低轨道卫星市场,并且出货客户。
 
随着中美晶集团入主,宏捷科与中美晶旗下环球晶合作脚步也正加速中,双方预计今年5、6月携手抢攻氮化镓(GaN)市场商机,未来环球晶将担负上游化合物半导体稳定供应角色,宏捷科可由客户端提供快速产品验证,加速氮化镓产品,以快速符合客户需求,估计这项业务未来将成为宏捷科的营收主力。
打赏
联系客服 投诉反馈  顶部