第三代半导体又火了!国产替代借此"弯道超车"?

日期:2020-11-05 来源:科创板日报阅读:480
核心提示:第三代半导体的火爆,主要是受到两方面因素的共同催化,一方面,受国家政策面影响,中国将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中;另一方面,当前国内的人工智能、5G等产业的技术和应用发展向好,支撑了板块内相关细分行业的业绩。
 11月3日早盘第三代半导体再度走强,前期龙头聚灿光电拉升封板,派瑞股份、干照光电涨逾10%,新洁能、易事特、华灿光电、台基股份等多股纷纷跟涨。板块内30只成分股悉数收红,无一只个股下跌,板块总体涨幅达5.3%。
 
 
值得注意的是,聚灿光电今日涨停也是该股自9月15日见顶以后,时隔近一个半月后再次录得涨停。此外,在前期炒作中表现比较突出的干照光电、台基股份、露笑科技等,今日也均有不错表现。
 
从三季报看,半导体业绩维持高增速,行业景气度在延续。在经过几个月的深幅调整后,半导体板块调整充分,上半年过度上涨带来的高估值压力,也得到了一定程度的消化。有市场人士分析,今日第三代半导体表现突出,主要是本次十四五规划发布之前,半导体板块并没有像新能源板块那样被提前炒作,股价经过了明显的调整,调整时间基本都在一个半月之上。因此,周五在大盘大跌时反而异军突起,兆易创新等领涨股两天累计涨幅已近20%,在此背景下第三代半导体今日顺势爆发,这表明目前有资金在做高低切换。
 
LED大涨 机构看好Mini LED
 
从今日第三代半导体板块内涨幅居前的个股中不难看出,例如聚灿光电、干照光电、华灿光电等均为LED概念股。第三代半导体成为今日市场热点,为什么叠加LED概念的股涨幅靠前,两者之间有何联系?
 
事实上,第三代半导体是指以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。其中,氮化镓材料广泛应用于光电子器件,LED照明是典型的应用领域。干照光电于今年2月在互动易披露,公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作,在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。
 
对此,有机构人士表示,机构看好Mini LED加速爆发机遇。高工LED预测,我国Mini LED应用市场规模在2018年仅3亿元,2020年预计达到22亿元。
 
2029年市场规模将超50亿美元
 
第三代半导体的火爆,主要是受到两方面因素的共同催化,一方面,受国家政策面影响,中国将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中;另一方面,当前国内的人工智能、5G等产业的技术和应用发展向好,支撑了板块内相关细分行业的业绩。
 
在我国发力“新基建”的背景下,第三代半导体材料成了非常重要的技术支撑。今年4月,国家发改委首次官宣“新基建”的范围,正式定调了5G基建、人工智能、工业互联网等七大领域的发展方向。而以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为首的第三代半导体是支持“新基建”的核心材料。比如,以氮化镓(GaN)为核心的射频半导体,支撑着5G基站及工业互联网系统的建设;以碳化硅(SiC) 以及IGBT为核心的功率半导体,支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设。
 
根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》显示,2018年,全球碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的销售收入为5.71亿美元,预计到2020年底增至8.54亿美元。未来十年将保持年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。根据Yole数据,到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元,其中,汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。
 
第三代半导体带来弯道超车机会
 
在业内人士看来,第三代半导体更重要的意义是在功率器件领域,通过其特殊的材料特性,改进相关芯片及器件性能。
 
相较于第一代(硅、锗为代表)、第二代(砷化镓、磷化铟为代表)半导体材料,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,具有应用于光电器件、微波射频器件、电力电子器件等的先天性能优势,在新能源汽车、智能电网、量子计算机、移动通信设备和基站、光伏等应用领域具有广阔应用前景。
 
随着第三代半导体应用需求攀升,国际巨头近年来也通过并购以及扩产来巩固自身优势。据CASA Research不完全统计,2019年国际半导体领域共有包括英飞凌、罗姆、意法半导体等企业通过并购推进其在第三代半导体领域的布局,材料、器件及模组标的均有涉及,整体涉及金额超过100亿美元。
 
方正证券研报表示,第三代半导体国内外差距没有一、二代半导体明显。先发优势是半导体行业的特点,Cree高市占率也印证了先发优势的重要性。相较于Si,国产厂商对SiC研究起步时间与国外厂商相差不多,因此国产厂商有希望追上国外厂商,完成国产替代。
 
国信证券研报中也表示第三代半导体是中国大陆半导体的希望,并解释了原因:
 
第一,第三代半导体相比较第一代第二代半导体处于发展初期,国内和国际巨头基本处于同一起跑线。
 
第二,中国有第三代半导体的应用市场,我们可以根据市场定义产品,而不是像以前跟着国际巨头做国产化替代。
 
第三,第三代半导体难点不在设备、不在逻辑电路设计,而在于工艺,工艺开发具有偶然性,相比较逻辑芯片难度降低。
 
第四,对设备要求相对较低,投资额小,国内可以有很多玩家。在资本的推动下,可以全国遍地开花,最终走出来几家第三代半导体公司的概率很大。
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