海特高新:公司已突破5G宏基站的射频氮化镓代工工艺技术

日期:2020-09-01 来源:综合阅读:450
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 有投资者问,美方单方面断供第三代半导体材料,这也催化了贵公司在国内的业务,贵公司的GaN微波功率半导体器件是否应用在华为、中兴的半导体基站呢?吾辈当自强!一定要造出国之利器,摆脱美方对我们的围追堵截。请问贵公司有信心吗?
 
海特高新在互动平台表示:公司微电子事业部在民品领域,公司主要为专业设计公司、模组公司提供专业的第二代、第三代化合物芯片晶圆制造服务,比如公司已突破5G宏基站的射频氮化镓代工工艺技术,5G芯片生产能力达到Foundry级验证标准,年内公司5G宏基站产品已经完成稳定性评估验证以及器件可靠性调试,已经为客户验证性流片,客户导入工作正全面展开。
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