2020年Q2较上季度SiC器件新增107款，GaN器件新增66款。近几年Mouser在售的SiC、GaN器件及模块产品数量情况如图1所示。
图1 近几年Mouser在售的SiC、GaN器件及模块产品数量情况（款）
一、技术指标情况
SiC二极管：新增41款650V是热点
目前，国外有超过20家公司量产SiC SBD系列产品，击穿电压600V-3300V，单芯片导通电流最高达109A。2020年Q2共有约730款SiC SBD产品在售，90%以上的产品耐压范围集中在650V和1200V，共622款产品，较2020年Q1增加了45款SiC SBD产品，1700V SiC SBD产品16款与上季度相比减少1款产品，3300V SiC SBD产品（GeneSiC，3款）产品较少与上季度持平。作为SiC产业龙头，ROHM、Infineon、Wolfspeed、ON Semiconductor和STM五家企业推出的产品种类占比高达63%。国际上已经商业化的SiC SBD器件性能情况如图2所示。
图2 国际上已经商业化的SiC SBD的器件性能
与上季度相比，2020年Q2共新增41款SiC SBD产品，主要由MCC、Toshiba、Wolfspeed三家公司生产，68%的产品耐压在650V、11款产品耐压在1700V，较少产品耐压在700V（2款），单芯片导通电流高达100A以上。
SiC 晶体管：新增50款电流升至140A
2020年Q2国外10余家公司推出231余款SiC MOSFET系列产品，击穿电压650V-1700V，单芯片导通电流最高达140A与上季度（120A）相比有很大的突破。国际上SiC MOSFET以Wolfspeed、ROHM和UnitedSiC为代表，共推出118款产品，占比51%。
业内生产SiC JFET的企业较少，Mouser上只有UnitedSiC在销售SiC JFET产品，耐压为650V和1200V两种，最大电流85A。国外已经商业化的SiC晶体管器件性能如图3所示。
图3 国外已经商业化的SiC晶体管器件性能
据CSA Research统计，2020年Q2新增50款SiC MOSFET产品，主要由Infineon、Wolfspeed、Microchip / Microsemi、ON Semiconductor、四家公司生产，其中ON Semiconductor推出的新产品较多（15款）。
GaN电力电子：新增20款电流升至90A
国际上有5家公司推出50款左右GaN HEMT系列产品，与上季度相比增加了20款左右。击穿电压600V-900V，主要集中在600V和650V，导通电流最高90A，与上季度（60A）相比有所突破。GaN System推出的产品最多（21款），Transphorm的产品最高耐压值达到900V，EPC的产品耐压集中在300V以下。国外已经商业化的GaN电力电子器件性能情况如图4所示。
图4 国外已经商业化的GaN电力电子器件性能
据统计，2020年Q2新增20款GaN HEMT产品，是由3家厂商生产，分别为GaN Systems、Transphorm、Panasonic，电压主要集中在650V。
二、市场价格情况
SiC SBD：产品价格与上季度持平
2020年Q2 SiC SBD产品的公开报价变化不大。据Mouser数据显示，600V、650V和1200V的价格均值分别为4.19元/A、1.68元/A和4.11元/A。据CSA Research调研，实际成交价基本与上个季度持平。
与之前年份的数据相比，SiC SBD产品价格维持下降趋势。650V的SiC SBD的2020年Q2的平均价格是1.68元/A，较2017年底下降了59%，与Si器件的价差在6倍左右。1200V的SiC SBD的平均价是4.11元/A，较2017年下降了37.25%，与Si器件的差距在5倍左右，价格优势仍不明显。SiC SBD价格情况如图5、6所示。
图5 2017年-2020年Q2 650V的 SiC SBD价格（元/A）
图6 2017年-2020年Q2 1200V的 SiC SBD价格（元/A）
SiC MOSFET：中高压产品价格大幅度下滑
2020年Q2 SiC MOSFET的产品价格在10元/A左右，耐压650V 器件的平均价格为2.15元/A，900V器件的平均价格为2.01元/A，1200V器件平均价格为3.49元/A，与上季度相比均处于下降趋势，分别下降了38.7%、71.6%、71.6%，而1700V 器件的平均价格处于上升趋势，价格为7.66元/A，上升了24.3%。SiC MOSFET第2季度平均价格情况如图7所示。
图7 SiC MOSFET第2季度平均价格（元/A）
GaN HEMT：600V产品价格大幅回升
GaN HEMT目前在售600V-900V的产品平均价格为4.3元/A,与上季度相比增长17.1%，而400V及以下产品平均价格为1.73元/A，相较于上季度下降39.9%，其产品价格均低于9元/A，价格最高（8.23元/A）的产品是由GaN Systems厂商生产。GaN HEMT第2季度平均价格情况如图8所示。
图8 GaN HEMT第2季度平均价格（元/A）
近几年统计结果表明，SiC MOSFET和GaN HEMT价格在正常区间内波动，但整体维持下滑趋势，说明制造技术的提升和生产工艺的改进促进了成本的下降，但与同类的Si器件价格差距仍然较大，价格竞争优势并不明显。SiC MOSFET耐压高达1700V，而GaN HEMT耐压高达900V，在耐压650V-900V区间GaN HEMT的平均价格（3.72元/A）是SiC MOSFET平均价格（2元/A）的1.8倍，预计随着GaN HEMT质量稳定性的逐步改善将在该领域替代SiC MOSFET。SiC MOSFET、GaN HEMT和Si IGBT价格比较情况如图9、10所示。
图9 650V SiC MOSFET、GaN HEMT和Si IGBT价格比较（元/A）
图10 1200V SiC MOSFET、GaN HEMT和Si IGBT价格比较（元/A）
