张荣:基于宽禁带半导
4030
郝跃: 宽禁带与超宽
黄火林:GaN基增强型H
1300
孙瑞泽:全氮化镓集成
920
郭炜:III族氮化物极
1940
汤潇:全溶液法沉积柔
1720
朱志甫:10BN中子探测
880
陈鹏:GaN基肖特基功
3130
徐尉宗:具有高可靠感
叶建东:氧化镓基双极
2760
李天义:SiC紫外单光
1490
汪莱:宽禁带半导体异
1180
楚春双:基于III族氮
1890
周玉刚:基于Ag、Mg金
1580
蔡端俊:氢元素对深紫
3290
吴雅苹:氮化物半导体
580
李强:hBN薄膜的磁控
860
欧欣:异质集成氧化镓
1750
方志来:P型氮掺杂β-
2340
龙世兵:超宽禁带氧化
3430