首页 > 视频 > 搜索

  • 【视频报告 2019】AIX

    12840

    【视频报告 2019】AIX
    报告嘉宾：AIXTRON SE高级产品经理Sven Bauerdick 报告主题：《AIX G5WW C - 开创SiC外延量产新纪元》
    128400
    limit2020-03-18 10:26

  • 中科院半导体所何亚伟

    31180

    中科院半导体所何亚伟
    报告简介：基于深层瞬态光谱学的Al/Ti 4H-SiC肖特基结构缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亚伟 中国科学院半导体研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
    311800
    limit2020-03-08 10:23

  • 西安卫光科技微晶微电

    12320

    西安卫光科技微晶微电
    西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》
    123200
    limit2020-02-02 16:22

  • 瑞士MicrodiamantChri

    21110

    瑞士MicrodiamantChri
    瑞士Microdiamant研发部门负责人Christian JENTGENS带来了题为多晶金刚石微纳米粉在SiC晶片加工中的应用及其关键工艺技术的主题报告，报告表示，碳化硅业务的主要目标是提高效率，并介绍了SiC晶圆加工的个性化解决方案，从厂商角度分享了碳化硅晶圆最重要的特征，如何判断产品品质优劣以及关键的流程步骤等内容。
    211100
    limit2020-02-01 16:23

  • 锴威特研发副总谭在超

    12120

    锴威特研发副总谭在超
    苏州锴威特半导体股份有限公司研发副总 谭在超 《SiC MOSFET的产品特征及在电力电子的应用机遇》
    121200
    limit2020-02-01 16:21

  • 西安电子科技大学微电

    12220

    西安电子科技大学微电
    西安电子科技大学微电子学院院长张玉明：SiC MOSFET高阈值的实现及给应用带来的优势
    122200
    limit2020-02-01 10:36

  • 英飞凌科技香港有限公

    10920

    英飞凌科技香港有限公
    极智报告|英飞凌科技香港有限公司市场总监马国伟：CoolSiCTMSiC MOSFET技术、器件和应用 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。
    109200
    limit2018-11-30 12:45

  • |香港应科院高级经理

    6470

    |香港应科院高级经理
    极智报告|香港应用科技研究院有限公司高级经理刘学超：碳化硅MOSFET在新能源汽车中的应用报告。更多专业报告，点击页面顶端下载极智头条APP.
    64700
    limit2018-11-30 12:45

  • 中电科55所：SiC电力

    1250

    中电科55所：SiC电力
    极智报告|中电科55所：SiC电力电子器件产品国产化进展
    12500
    limit2018-11-30 12:44

  • 株洲中车时代电动汽车

    2180

    株洲中车时代电动汽车
    极智报告|株洲中车时代电动汽车股份有限公司副总经理刘国友：新能源汽车用功率器件解决方案报告。更多专业学术报告，请点击页面顶端下载极智头条APP，海量报告，免费看！
    21800
    limit2018-11-26 12:41

  • 浙江大学电气工程学院

    9820

    浙江大学电气工程学院
    极智报告|浙江大学电气工程学院院长盛况分享《第三代半导体支撑交通强国建设》主题报告。请您点击页面顶端下载极智头条APP，更多精彩学术报告免费看！
    98200
    limit2018-10-31 12:43

  • 极智报告|日本大阪大

    70

    极智报告|日本大阪大
    极智报告|日本大阪大学高悦：铜颗粒烧结贴片连接SiC-MOSFET的长期可靠性研究进展 更多精彩报告，敬请点击页面顶端下载极智头条APP。
    700
    limit2024-05-02 11:32

  • 极智报告|丹麦科技大

    60

    极智报告|丹麦科技大
    丹麦科技大学教授欧海燕SiC白光发射主题报告；报告中指出，碳化硅（SiC）是宽间接带隙半导体，发光效率低。 但这种材料除了丰富之外，还具有非常独特的物理性能，如良好的导热性，高击穿电场等。 因此，研究其发光性能是非常有意义的，以便充分利用这种材料。 在这个演讲中，介绍两种方法，即通过施主-受主对掺杂SiC以及用制造多孔SiC的方法来制造发光的SiC。通过氮与硼共同重掺杂SiC，以证明有强烈的黄光发出。 之后，在优化钝化条件之后，多孔SiC发射强蓝绿色的光也被证明。当发黄光的共掺杂SiC和发蓝绿光的多孔Si
    600
    limit2024-05-02 11:32

  • 极智报告|爱思强电力

    10

    极智报告|爱思强电力
    德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生产率的碳化硅同质外延的程序在大容量生产反应器当中的表现主题报告。他表示，用于高产量生产的高增长率SiC同质外延工艺生长的大容量生产反应器，它是在于每小时二十五微米，更好地，更快速地长外延材料，那么也是在生产领域对于生产厂家来说是一个好事，那么同时它这个结果在之间出的效果，尤其是在一千二百伏元器件体现出来。预计2018年这种全面的自动化技术的使用，会使得我们整个产业会有大量的一个客户量的增长。
    100
    limit2024-05-02 11:32

  • 极智报告|南京电子器

    20

    极智报告|南京电子器
    南京电子器件研究所黄润华博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的设计与制造关键点。他表示，未来的工作主要还是针对一千两百伏到一千七百伏的企业，要实现一个产品化，目前提供可生产性基本满足产品要求，未来就是为了降低电阻，提升我们的可靠性，还要进行下一步的研究。再下一步要开发三千三百伏到一万伏，争取到五千伏的时候推出一些产品。
    200
    limit2024-05-02 11:32

  • 极智报告|超凡数据高

    20

    极智报告|超凡数据高
    该视频为：超凡数据与咨询事业部检索业务高级总监马志勇主讲的《SiC国际知名企业专利布局策略与竞合动向》报告。 他表示：“研发者首先要注重和用专利，注意你的核心技术你的专利，要用拳头保护咱们的产品。要用专利的挖掘与布局来保护我们的产品和研发。并且通过专利分析可以找到合作者，补全我们产业链的一环，增强实力。这些巨头是一个竞争，我们要关注它的专利，规避我们的风险，通过专利分析这些东西都是潜在可能的。”
    200
    limit2024-05-02 11:32

  • 极智报告|日本大阪大

    30

    极智报告|日本大阪大
    该视频为：日本大阪大学助理教授CHEN Chuantong主讲的《SiC功率芯片贴片模组低应力连接技术》报告。为SiC芯片的键合，研究了一种烧结微孔和钨(W)薄膜的夹层结构。芯片粘连层被设计为微孔Ag/钨/微孔Ag以便增加粘连层厚度，从而实现低应力的SiC功率模块。Ag膏的厚度为0.1mm，而钨的厚度分别为0.1mm和0.5mm。粘连层剪切强度高达60Mpa，1000次热循环（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此烧结技术最有希望应用于高温工作的低应力的SiC功率模块。 第三代半导体材料主要包
    300
    limit2024-05-02 11:32

  • 极智报告|大连理工大

    10

    极智报告|大连理工大
    大连理工大学王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的钝化技术及电子性能”报告中介绍了缺陷到底是什么样子，缺陷如何去钝化以及进一步的研究工作进展。并把下一步的工作和进一步实用化的相关内容，包括产业方向上的发展做了详细介绍。并介绍了核心的钝化技术，比较独特，这个钝化它的研究都是建立在它的物理技术之上，所以这个测试比较强。
    100
    limit2024-05-02 11:32

相关搜索

联系客服 投诉反馈  顶部