中科院苏州纳米所孙钱
5500
南京大学周峰: 从应
5660
中科院苏州纳米所郭小
6670
中国科学院微电子所金
5540
南京大学陈鹏:GaN基
5430
中科院宁波材料所郭炜
8490
中科院北京纳米所胡卫
6440
南京大学王海萍:基于
5450
江苏第三代半导体研究
南京大学庄喆:InGaN
清华大学汪莱:GaN基
5680
北京大学陈兆营:面向
8710
刘纪美:High perform
3830
林科闯:大功率 GaN
3980
Long Yan: Optimizati
340
黄火林:GaN基增强型H
1300
梅洋:GaN基VCSEL技术
1230
刘红辉:光照下AlGaN/
1600
张赫朋:室温1.04 mA/
1340
郑伟:4H-SiC、GaN和
2460