厦门大学高娜带来了题为可原子尺度精确调控的AlN/GaN结构分选生长的主题报告，从晶体生长热力学角度出发，采用第一性原理模拟了

郑州大学教授刘玉怀做了题为氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究的报告，介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。研究成功证明了通过脉冲模式MOVPE在AlN模板上直接生长单晶多层h-BN，在AlN表面上形成连续和聚结的多层h-BN，提出了初始帽形核的生长模型，然后在AlN上进行h-BN的二维横向生长。

奥趋光电吴亮：高功率UVC-LED用AlN单晶衬底生长最新进展及其未来挑战

中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会专家，研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中，冯志红表示，氮化镓与氮化铝是非常好的搭配，会带来比较高的功率，相比其他一些结构更加优化，也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域，希望增加输出功率。结合具体的建模分析，冯志红表示，降低延迟，为了获得信号而降低