沈波:高质量 AlN 单
4960
张赫朋:室温1.04 mA/
1340
金雷:PVT法AlN单晶生
1740
张纪才:半极性AlN材
1840
吴亮:PVT法同质外延
2240
张峰:Atomic layer d
2180
刘志彬:溅射中痕量氧
2560
陈荔:基于高温热退火
2150
Ye Yuan: The prepara
1570
魏同波:石墨烯驱动的
1600
黎大兵:AlN基宽禁带
3720