《全氮化镓集成器件与电路的发展与挑战》作者：孙瑞泽，刘超，陈万军，张波单位：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，电子科技大学四川省功率半导体技术工程研究中心

《介稳态氧化镓薄膜的外延生长与异质集成》作者：张文瑞单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所

《范德华外延氮化物异质结构与光电集成》作者：宁静，张进成，郝跃单位：西安电子科技大学微电子学院

《异质集成氧化镓材料与器件》作者：徐文慧，王轶博，游天桂，胡浩东，韩根全，欧欣单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，西安电子科技大学

《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文辉清，刘雯单位：西交利物浦大学智能工程学院

《量子点/氮化物半导体集成结构的Micro-LED器件制备与应用》作者：刘斌，许非凡，余俊驰，陶涛，陆海，陈敦军，张荣单位：南京大

加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到，基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外，Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。

集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。

化合物半导体是未来核心材料，市场逐步扩大，全球各大厂商都在布局化合物半导体产业链，在功率器件、射频器件，与终端消费电子领

美国智能照明工程技术研究中心主任, 美国伦斯勒理工学院教授Robert F. KARLICEK分享了超越照明：固体照明、显示器和物联网集成主题报告。 他在报告中，Joseph Schumpeter的20世纪中期的创造性破坏的经济概念正在今天的照明工业中得到实时发挥。随着光电子（LED和激光二极管）和物联网结合起来改造照明和显示行业，不断创新和不断创新的潮流正在继续在这两个市场上开辟新的服务和能力。 报告中，他系统地回顾了高效LED芯片和封装的

中国科学院半导体研究所副研究员杨华在介绍了照明与显示技术的集成框架研究报告。他表示，技术、成本和应用场景是照明与现实技术融合的关键因素。通过对光源技术发展的分析目前主要的照明技术与显示技术的基本架构、控制难度和成本组成。给出了照明与现实技术融合的技术与成本条件。同时对照明与现实技术融合的应用场景进行了分类分析。 　　照明和显示的融合是随着灯具技术适应更多样化的需求以及显示控制技术成本的降低，使得产品既能提供一定显示功能，同时也能够提供照明功能技术趋势，它主要涉及到的技术内容可能包括廉价怎么降低成本

加拿大多伦多大学教授Wai Tung NG则带来了“GaN功率晶体管的栅极驱动器集成电路”研究报告氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通...