实现超小型全氮化微型LED的纳米级材料科学Nanometer-scale Materials Science Enabling Ultra-small All-Nitride Micro-LEDsLarsSAMUELSON瑞典皇家科学院及工程院两院院士、中国科学院外籍院士、瑞典德隆大学教授、南方科技大学讲席教授LarsSamuelsonMember of Royal Swedish Academy of Engineering, Member of Royal Swedish Academy of Sciences，Foreign Member of the Chinese Academy of Sciences, Professor of Lund Univer

基于纳米压印全生态产业平台的微纳光学器件制造Manufacturing of Micro and Nano Optical Devices Based on Nanoimprint Eco-industrial Platform罗刚材料科学姑苏实验室研究员、苏州新维度微纳科技有限公司创始人LUO GangProfessor of Gusu Lab, Founderof NDnano

硅衬底GaN基光电材料外延生长Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

氨热法氮化镓单晶生长研究进展及面临的挑战Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任国强中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、研究员REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

功率HEMT的p-GaN栅极可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs钟耀宗中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所助理研究员ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡卫国中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences

用于高像素密度显示器的高效率Micro-LED和纳米LEDHigh efficiency micro-LEDs and nano-LEDs for displays with high pixel density刘先河西安电子科技大学广州研究院教授LIU XianheProfessor of Guangzhou Institute of Technology of Xidian University

Micro-LED用GaN纳米线上生长的非极性GaInN/GaN多量子壳的系统研究Systematic investigation of nonpolar GaInN/GaN multiple-quantum-shells grown on GaN nanowires for Micro-LEDs卢卫芳厦门大学物理科学与技术学院物理学系，副教授LU WeifangAssociate Professor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University

氮化镓基激光器和超辐射管研究进展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes刘建平中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件研究部 研究员LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences

室温紫外GaN微盘激光器Room-Temperature Ultraviolet GaN Microdisk Lasers司志伟中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所SI ZhiweiSuzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS

MgO（100）上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大学教授HE YunbinProfessor of Hubei University

利用泵浦-探测瞬态反射显微技术测定立方砷化硼的高双极性迁移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy刘新风国家纳米科学中心研究员,中科院纳米标准与检测重点实验室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences

钙钛矿LED晶体结构稳定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes谢跃民苏州大学功能纳米与软物质研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University

宽禁带材料具有非中心对称的晶体结构，因而表现出显著的压电特性，长期以来这些材料中压电极化电荷和半导体特性的耦合过程被忽略。近年来对于压电电子学和压电光电子学的基础及应用研究取得了快速地发展。多种功能材料中的压电电子学和压电光电子学的基本效应得到了系统深入地研究，相关的理论体系得以建立，诸多压电电子学和压电光电子学器件也被设计研发。会上，王中林院士带来了压电学理论与研究成果的分享，报告结合具体的数据

常见的氮化镓器件为在异质衬底上长氮化镓外延层制作成半导体器件。但由于使用的是异质衬底，材料之间存在着晶格失配与热失配导致外延材料位错密度比较高，阻碍了相关器件性能的提升及其稳定性。采用氮化镓单晶衬底实现同质外延是提高氮化镓外延层晶体质量进而提高氮化镓器件的主要途径。刘宗亮博士在报告中结合GaN材料生长制备的主要方法及挑战，GaN单晶制备的主要方法与特点以及国际上GaN单晶生长研究进展等，分享了GaN单晶衬底生

基于单根Ga2O3纳米线的深紫外光电探测性能马淑芳*，刘松，韩斌，尉国栋，董浩琰，牛艳萍，郝晓东，许并社陕西科技大学

硅基GaN电子器件研究进展孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

1200V级硅衬底GaN纵向PiN功率二极管郭小路，钟耀宗，周宇，陈昕，闫书萌，刘建勋，孙秀建，孙钱*，杨辉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

压电能带工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡卫国*中国科学院北京纳米能源与系统研究所

《一维ZnGa2O4纳米线网薄膜材料横向制备及其光电响应研究》作者：吴雨桐，张昆，冯双龙，陆文强单位：中国科学院重庆绿色智能技术研究院