中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员胡卫国:AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制

视频IFWS > IFWS20222024-02-15 10:37
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AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡卫国中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
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