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  • 武汉大学工业科学研究

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    武汉大学工业科学研究
    无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武汉大学工业科学研究院研究员YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
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    guansheng2023-05-19 08:53

  • 中国科学院半导体所研

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    中国科学院半导体所研
    平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS
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    guansheng2023-05-18 16:19

  • 中国科学院半导体研究

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    中国科学院半导体研究
    当前，人们对于绿色、环保、安全的重视度在不断的提高，随着全球化加速发展，公共卫生风险对人口流动和经济活动造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突发公共卫生风险的重要性不言而喻。基于第三代半导体氮化镓材料的紫外LED光源具有节能环保、寿命长、开启速度快、辐射强度可控、光谱可定制等优势，成为维护公共卫生安全的重要力量。紫外LED是半导体光电产业发展的新蓝海，双碳战略也给包括紫外LED产业在内的绿色环保节能产
    210100
    guansheng2022-09-10 15:45

  • 中科院微电子所副研究

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    中科院微电子所副研究
    高可靠功率系统集成的发展和挑战Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰泽中国科学院微电子研究所系统封装与集成研发中心副研究员Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
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    limit2022-05-01 20:22

  • 中科院生态环境研究中

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    中科院生态环境研究中
    UV反应器设计和运行可靠性保障UV Reactor Design and Operation Reliability Guarantee李梦凯--中国科学院生态环境研究中心副研究员LI Mengkai--Associate Professor of Ecological Environment Research Center, CAS
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    limit2022-02-01 17:14

  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告，受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s)，商用铌酸锂基声表面波（SAW）滤波器工作频率通常低于3 GHz，难以满足通讯系统频率不断提升的需求，因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器，铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz，而AlN基SAW 滤
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员董建飞分享《用于刺激细胞的LED灯的设计》报告。他表示，人体细胞如何响应LED光的刺
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    limit2021-04-29 12:10

  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    陈雄斌研究员在报告中介绍了单向710Mbps传输VLC系统和对称的100Mbps互联网接入系统。他表示，可见光通信这项无线光通信新技术比
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    limit2021-04-29 12:08

  • 【视频报告 2019】中

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    【视频报告 2019】中
    中国科学院半导体研究所研究员，科技部重点研发计划专项项目负责人王军喜分享《深紫外LED研发进展及国家重点研发计划深紫外项目》
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    limit2021-04-29 11:02

  • 【视频报告 2019】中

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    【视频报告 2019】中
    报告嘉宾：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员 黄勇 主题报告：《锑化物半导体材料及器件》
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    limit2021-04-29 10:24

  • 中国科学院半导体研究

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    中国科学院半导体研究
    中国科学院半导体研究所研究员陈雄斌带来了可见光通信技术及应用场景的思考的精彩主题分享
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    limit2020-03-15 12:50

  • 中国科学院生态环境研

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    中国科学院生态环境研
    中国科学院生态环境研究中心副研究员李梦凯带来了紫外反应器设计要点简述-紫外线消毒手册（9章）的精彩主题分享
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    limit2020-03-12 12:54

  • 【视频报告】中国农业

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    【视频报告】中国农业
    中国农业科学院城市农业研究所副所长杨其长研究员分享了《LED植物工厂光效提升技术进展》报告。在植物工厂光配方构建、光效与能效提升、营养品质调控以及多因子协同管控等关键技术方面取得了多项创新性成果。研发出基于植物光配方的多光质组合LED节能光源及其智能调控技术，创制出光-温耦合节能环境控制技术，发明了采前短期连续光照调控蔬菜品质技术方法，研发出基于多因子协同管控策略的植物工厂智能化管控技术，集成创制出规模
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    limit2020-02-04 15:42

  • 【视频报告】复旦大学

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    【视频报告】复旦大学
    紫外LED因其在医疗、印刷、环境净化等领域的广阔应用前景，近年来市场份额日益增高。因紫外LED的高功率，出光率偏低的特性，散热问题已经成为制约紫外LED发展应用的主要瓶颈之一。复旦大学副研究员刘盼分享了烧结银芯片连接工艺与石墨烯覆铜基板对紫外LED封装的热模拟分析。刘盼2011年开发了可调制光捕捉表面，显著提升了薄膜硅基太阳能电池效率。2012年至2016年，与荷兰飞利浦照明紧密合作，共同研发了一款微缩体积照明封装系统，
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    limit2020-02-03 15:40

  • 中国科学院微电子研究

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    中国科学院微电子研究
    中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。
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    limit2018-02-01 10:49

  • 中科院电工所研究员温

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    中科院电工所研究员温
    极智报告推荐：中科院电工所研究员温旭辉分享的《半导体功率模块在新能源汽车中应用》主题报告。更多精彩报告，请点击页面顶端下载极智头条APP，海量专业学术报告任性看！
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    limit2024-04-27 22:18

  • 极智报告|中科院半导

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    极智报告|中科院半导
    中科院半导体研究所的研究员总工程师伊晓燕分享了“氮化物纳米线可控生长与器件应用展望”主题报告。 她表示，目前从芯片发展趋势技术上来看，一个是性能的提升，可以用纳米线的新的结构形式去考虑，从器件的结构上怎么样提高性能。第二个芯片发展到这个阶段，将来的天花板是显示屏等等，我们面临非常广泛的应用空间，从应用的角度可以提出来对芯片的要求，我们可以根据应用设计出来全新结构的芯片结构形式，现在提的比较多的农业、可穿戴、定位和通讯、显示，论坛上MicroLED显示还是大家非常关注的，还有智能光源、智慧城市跟光电的集成
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    limit2024-04-27 22:18

  • 极智报告|中科院苏州

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    极智报告|中科院苏州
    中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员刘建平在做“镓氮基蓝光与绿光激光二极管的发展”报告时表示，对GaN基蓝色和绿色的激光二极管（LD）的研究已经引起人们的广泛关注，在过去的几年里，为了满足激光显示应用的需求。我们提高了发光均匀性和减少基蓝光LD结构面自支撑GaN衬底上生长GaN的内部损失。同质外延GaN层的形貌是由边角料取向和GaN衬底角度很大的影响。并且通过工程InGaN/GaN量子阱的界面，我们已经实现了绿色激光器结构1.85 kA cm-2低阈值电流密度。在室温连续波作用下，绿光LD的输出功率为
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    limit2024-04-27 22:18

  • 极智报告|中国电子科

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    极智报告|中国电子科
    中国电子科技集团公司第十三研究所研究员冯志红介绍了关于解决InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）应用的漏电大和可靠性差的瓶颈问题方法的研究成果。冯志红研究员现任中国电子科技集团公司首席专家，国际电工技术标准委员会专家，研究方向为太赫兹固态电子器件、先进半导体材料与器件。 其中，冯志红表示，氮化镓与氮化铝是非常好的搭配，会带来比较高的功率，相比其他一些结构更加优化，也有很多应用。人们希望可以将氮化镓应用到5G等领域，希望增加输出功率。结合具体的建模分析，冯志红表示，降低延迟，为了获得信号而降低
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    limit2024-04-27 22:18

  • 极智报告|中科院微电

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    极智报告|中科院微电
    中国科学院微电子研究所研究员黄森分享“基于超薄壁垒AlGaN / GaN 异质结构的常关型GaN MIS-HEMTs制造”报告。 中国科学院微电子研究所研究员黄森表示，超薄势垒（UTB）AlGaN / GaN异质结用于制造常关断型GaN基MIS-HEMT。通过低压化学气相沉积（LPCVD）生长的SiNx钝化膜，有效地减少了超薄势垒（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN异质结构中2维电子气体（2DEG）的薄层电阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表现出
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    limit2024-04-27 22:18

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