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  • 郝跃： 宽禁带与超宽

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    郝跃： 宽禁带与超宽
    宽禁带与超宽禁带半导体电子器件若干新进展 郝跃 院士 西安电子科技大学
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    limit2022-01-10 13:08

  • 郭炜：III族氮化物极

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    郭炜：III族氮化物极
    《III族氮化物极性调控在光电子及电力电子器件中的新应用》作者：郭炜，陈荔，徐厚强，戴贻钧，林伟，康俊勇, 叶继春单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，厦门大学
    19400
    limit2022-01-10 10:22

  • 唐宁：氮化镓量子阱中

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    唐宁：氮化镓量子阱中
    《氮化镓量子阱中电子自旋弛豫性质研究》作者：张仕雄，唐宁，刘星辰，张晓玥，付雷，张云帆，樊腾，孙真昊，葛惟昆，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
    16000
    limit2022-01-07 14:16

  • 龙世兵：超宽禁带氧化

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    龙世兵：超宽禁带氧化
    《超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器》作者：龙世兵，徐光伟，赵晓龙，孙海定单位：中国科学技术大学
    34300
    limit2022-01-05 17:12

  • 朱昱豪：基于氮化镓金

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    朱昱豪：基于氮化镓金
    《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文辉清，刘雯单位：西交利物浦大学智能工程学院
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    limit2022-01-05 17:11

  • 陆海：面向复杂电气应

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    陆海：面向复杂电气应
    《面向复杂电气应用环境的高可靠性GaN功率电子器件研究》作者：陆海，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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    limit2022-01-05 16:58

  • 【视频报告 2018】厦

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    【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说，显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术，获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
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    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】中

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    【视频报告 2018】中
    中电科电子装备集团有限公司离子注入机技术总监张丛分享了《国产离子注入机发展及应用》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:24

  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】杨

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    【视频报告 2018】杨
    桂林电子科技大学机电工程学院院长、教授杨道国带来了题为电子封装中界面层裂的仿真模拟与表征的报告，分享了该领域的最新研究成
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    limit2021-04-29 12:11

  • 【视频报告 2018】电

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    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:04

  • 【2019 杭州】英飞特

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    【2019 杭州】英飞特
    英飞特电子（杭州）股份有限公司高级产品经理王义友分享了智慧道路照明LED驱动电源新解决方案。
    97900
    limit2021-04-29 12:00

  • 【视频专访 2019】南

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    【视频专访 2019】南
    江苏南大光电材料股份有限公司陈化冰副总裁受邀出席第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛期间，接受极智头
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    limit2021-04-29 10:56

  • 【视频报告 2019】河

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    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
    124000
    limit2021-04-29 10:46

  • 晶科电子项目总监陈海

    4460

    晶科电子项目总监陈海
    广东晶科电子股份有限公司项目总监陈海英带来了紫外线消毒历史与消毒机理研究UV消毒手册（1-3章节）的精彩主题分享
    44600
    limit2020-03-10 12:56

  • 意大利ORCHESTRA总裁G

    56790

    意大利ORCHESTRA总裁G
    报告简介工业4.0：对于电子工业和产品的大好时机 INDUSTRY4.0 as A Major Opportunity for Electronics Processes and Products Guido COLOMBO意大利ORCHESTRA总裁 Guido COLOMBOPresidentCEO of ORCHESTRA, Italy
    567900
    limit2020-03-10 10:22

  • 西安卫光科技微晶微电

    12320

    西安卫光科技微晶微电
    西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》
    123200
    limit2020-02-02 16:22

  • 【极智课堂】西安电子

    13820

    【极智课堂】西安电子
    西安电子科技大学教授张金风做了题为金刚石超宽禁带半导体材料和器件新进展的主题报告。她介绍说，金刚石属于新兴的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，耐击穿，载流子迁移率高，热导率极高，抗辐照等优点。在热沉，大功率、高频器件，光学窗口，量子信息等领域具有极大应用潜力。报告中介绍了大尺寸金刚石单晶的制备方法最成功的是同质外延的克隆拼接生长方法和在Ir衬底上异质外延的生长方法。她表示，实现室温下高电离率的体掺
    138200
    limit2020-02-01 16:23

  • 日本国立佐贺大学电气

    12130

    日本国立佐贺大学电气
    日本国立佐贺大学同步辐射光应用研究中心主任、电气电子系教授郭其新带来了题为超宽禁带氧化半导体的生长和特性的主题报告。郭其新主要从事半导体材料制备与表征，同步辐射光应用研究。报告中主要介绍了Ga2O3等宽禁带氧化半导体薄膜的生长和特性。通过对于In和Al元素的调整我们可以调整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能带宽度。研究制备了Ga2O3:Er/Si LED，其驱动电压稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同时，还研究了Eu掺杂的Ga2O3薄膜的
    121300
    limit2020-02-01 16:22

  • 锴威特研发副总谭在超

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    锴威特研发副总谭在超
    苏州锴威特半导体股份有限公司研发副总 谭在超 《SiC MOSFET的产品特征及在电力电子的应用机遇》
    121200
    limit2020-02-01 16:21

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