加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东，多伦多大学电子与计算机工

山东大学教授陶绪堂做了晶体生长和β-Ga2O3表征的最新进展的报告，分享了在氧化镓晶体生长方面的研究实践及成果。

日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。

河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室高级工程师王晶晶金刚石场效应晶体管的射频功率性能评价的报告，结合相关的试验数据，王晶晶介绍了P型掺杂、晶体管测试、以及利用MPCVD设备来进行金刚石薄膜的沉积，利用轻等离子体处理的方法实现它的P型构造，基于金刚石等材料来制作金刚石射频器件等研究成果。

中国科学院半导体研究所固态照明研发中心张连分享“选择区域生长AlGaN/GaN异质结双极晶体管的n-AlGaN发射器”研究报告。 张连表示，GaN基异质结双极晶体管（HBT）具有本征优点，例如更高线性度，常关工作模式和更高的电流密度。然而，其发展进度缓慢。一个主要问题是由低自由空穴浓度引起的基极层的低导电性，以及外部基极区域的等离子体干蚀刻损伤。虽然一些研究人员使用选择性区域再生来减轻基层的损害，但工作后没有显着的进步。最常见的因素之一是难以获得高质量的选择性区域再生长基底层和发射极层。通过使用选择

加拿大多伦多大学教授Wai Tung NG则带来了“GaN功率晶体管的栅极驱动器集成电路”研究报告氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通...