• 上海交通大学教授郭小
    面向柔性显示与传感的有机薄膜晶体管器件与阵列集成Organic Thin Film Transistor Device and Array Integration for Flexible Display and Sensing郭小军上海交通大学教授GUO XiaojunProfessor of Shanghai Jiaotong University
    81400
    guansheng2023-05-22 14:08
  • 鼎泰芯源晶体董事长赵
    高质量磷化铟和锑化镓衬底制备技术进展及批量生产Progress in Preparation Technology and Batch Production of High Quality InP and GaSb Substrates赵有文珠海鼎泰芯源晶体有限公司董事长ZHAO YouwenChairman of Zhuhai DT Wafer-Tech Co.,lTD
    95700
    guansheng2023-05-22 13:36
  • 思体尔软件副总经理付
    超宽禁带半导体氧化镓及金刚石的晶体生长模拟研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊苏州思体尔软件科技有限公司副总经理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.
    86800
    guansheng2023-05-19 14:47
  • 中国科学院半导体所研
    超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices张兴旺中国科学院半导体所研究员ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
    125200
    guansheng2023-05-19 14:21
  • 北京大学工学院特聘研
    超高热导率立方砷化硼和氮化硼晶体Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大学工学院特聘研究员SONG BaiProfessor of Peking University
    125300
    guansheng2023-05-19 14:21
  • 西安电子科技大学韩根
    氧化镓异质结功率晶体管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韩根全西安电子科技大学教授HAN GenquanProfessor of Xidian University
    92500
    guansheng2023-05-19 14:19
  • 苏州大学功能纳米与软
    钙钛矿LED晶体结构稳定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes谢跃民苏州大学功能纳米与软物质研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University
    65600
    guansheng2023-05-19 13:51
  • 中国科学技术大学谭鹏
    零回滞氧化镓光电晶体管 从光电导效应到光栅效应谭鹏举,邹燕妮,赵晓龙*,侯小虎,张中方,丁梦璠,于舜杰,马晓兰,徐光伟,胡芹*,龙世兵中国科学技术大学
    76100
    guansheng2022-09-02 16:03
  • 中山大学王钢:基于金
    基于金属有机化学气相沉积的-Ga2O3薄膜异质外延及其在场效应晶体管中的应用王钢*,陈伟驱,罗浩勋,陈梓敏,卢星,裴艳丽中山大学
    55500
    guansheng2022-09-01 16:13
  • 深圳大学范泽龙:基于
    基于带状氮化铝晶体真空紫外探测器研究范泽龙,武红磊,孙振华深圳大学
    54400
    guansheng2022-09-01 12:17
  • 南京大学王海萍:基于
    基于增强型p-GaN HEMT的高性能紫外光电晶体管王海萍,游海帆,陈敦军*,张荣,郑有炓南京大学
    54500
    guansheng2022-09-01 12:16
  • 张逸韵:高温气氛退火
    《高温气氛退火对体材料单晶氧化镓晶体质量的研究》作者:武松浩,张逸韵单位:北京理工大学,中国科学院半导体研究所
    6100
    limit2022-01-07 14:21
  • 张辉:氧化镓晶体的生
    《氧化镓晶体的生长、缺陷及掺杂》作者:张辉,夏宁,刘莹莹,李成,杨德仁单位:浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学杭州国际科创中心
    20800
    limit2022-01-07 14:18
  • 王艳丰:大面积单晶金
    《大面积单晶金刚石及场效应晶体管研究》作者:王艳丰,王玮,常晓慧,张晓凡,朱天飞,刘璋成,陈根强,王宏兴单位:西安交通大学教育部物理电子器件重点实验室,西安交通大学电子与信息学部宽禁带半导体与量子器件研究所
    7000
    limit2022-01-06 10:24
  • 朱昱豪:基于氮化镓金
    《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者:朱昱豪,崔苗,李昂,方志成,文辉清,刘雯单位:西交利物浦大学智能工程学院
    25100
    limit2022-01-05 17:11
  • 李思哲:用于Micro LE
    《用于Micro LED驱动的ZnO短沟道薄膜晶体管》作者:李思哲,陈雪,吴昊,刘昌单位:武汉大学物理科学与技术学院人工微结构教育部
    24100
    limit2022-01-05 13:24
  • 【视频报告 2018】加
    加拿大滑铁卢大学William WONG教授分享了《通过薄膜晶体管和III-V光电器件的异质集成实现Micro-LED》研究报告。他介绍到,基于氮化镓(GaN)基微光发射二极管(microleds)的新型显示技术有望使下一代发射显示器具有高亮度、低功耗和高分辨率,与现有的基于有机光发射二极管(OLEDs)的显示技术相比。除了在OLED显示器上的这些改进之外,Micro-LED与薄膜晶体管(TFT)设备的集成为高亮度和高分辨率柔性显示器提供了新的途径。
    66700
    limit2021-04-29 12:30
  • 【视频报告 2018】Vic
    美国电力副执行主任兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授Victor Veliadis带来《10 kV 4H-SiC晶体管基面位错和耐久性的影响》;
    185400
    limit2021-04-29 12:26
  • 【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(fT/fmax=61GHz/130GHz)》主题报告。他介绍说,在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件,采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件,其阈值电压达到0.6V,饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ,峰值跨导达到412mS/mm,电流截止频率达到61GHz,最大
    131700
    limit2021-04-29 12:21
  • 【视频报告 2018】加
    与功率MOS场效应晶体管相比,驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难,这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度,这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
    86600
    limit2021-04-29 12:05
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