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  • 梅洋：GaN基VCSEL技术

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    梅洋：GaN基VCSEL技术
    《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，郑重明，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学微电子与集成电路系微纳光电子研究室
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    limit2022-01-06 10:43

  • 袁昊：万伏级4H-SiC基

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    袁昊：万伏级4H-SiC基
    《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学
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    limit2022-01-05 17:00

  • 陈荔：基于高温热退火

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    陈荔：基于高温热退火
    《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波
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    limit2022-01-05 11:02

  • 视频报告 2017 |西安

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    视频报告 2017 |西安
    极智报告|西安特锐德智能充电科技有限公司总工程师王利强 ：电动汽车充电技术发展及SiC应用。更多专业学术报告，请点击页面顶端下载极智头条APP，海量报告，免费看！
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    limit2021-04-29 12:39

  • 视频报告 2017-- 英

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    视频报告 2017-- 英
    英国IQE plc.集团副总裁兼电力事业部门负责Wayne JOHNSON 带来了先进技术的分享，作为半导体晶圆产品和经营服务供应商，IQE的光电产品主要包括VCSEL、边射型激光器、发光二极管(LED)、超高亮度发光二极管 (UHB LED)等，今年更是因为苹果VCSEL激光器
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    limit2021-04-29 12:38

  • 视频报告 2018--美国

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    视频报告 2018--美国
    2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市龙
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    limit2021-04-29 12:37

  • 【视频报告 2018】厦

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    【视频报告 2018】厦
    厦门大学电子科学系教授、福建省半导体照明工程技术研究中心副主任吕毅军分享了《基于显微高光谱成像技术的发光器件/阵列表面光热特性分布测试》研究报告。他介绍说，显微高光谱成像技术结合高光谱和显微技术，获得探测目标的二维几何空间及一维光谱信息的数据立方。同时具有高空间分辨率和高光谱分辨率的优点。是进行微小发光器件/阵列表面光谱探测的理想工具。我们基于显微高光谱开发了发光器件/阵列表面光热二维分布测试技术。
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    limit2021-04-29 12:28

  • 【视频报告 2018】德

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    【视频报告 2018】德
    广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部产品经理桑永昌介绍了《Micro 和 Mini LED 焊接技术》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】P.S

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    【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】维

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    【视频报告 2018】维
    美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark MCKEE分享了《Micro-LED显示屏：关键制造挑战和MOCVD技术》报告。他介绍到，微型LED显示屏比其他显示技术，如背光LED显示屏、OLED显示屏和等离子显示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加坚固柔韧。然而，微型LED显示屏的缺点之一是制作复杂，这导致了较高的显示成本。在严格坚持目标成本的同时，微型LED显示屏优秀性能和良率为其制造带来了许多挑战。报告中提出，从外延和LE
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    limit2021-04-29 12:24

  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主题报告。他介绍说，在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件，采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件，其阈值电压达到0.6V，饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨导达到412mS/mm，电流截止频率达到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】河

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    【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2018】挪

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    【视频报告 2018】挪
    挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士、挪威Crayonano AS创始人兼首席技术官Helge WEMAN带来以石墨烯为基底和透明电极的AlG
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    limit2021-04-29 12:19

  • 【视频报告 2018】德

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    【视频报告 2018】德
    显示技术的发展多种路线，倒装芯片广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部研发部部长刘宇轩倒装芯片应用于新世代液晶显示器
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    limit2021-04-29 12:19

  • 【视频报告 2018】西

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    【视频报告 2018】西
    GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潜力吸引了很多研究者的注意。西安交通大学田震寰博士带来了激光打孔和双衬底转移技术制备金字
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    limit2021-04-29 12:18

  • 【视频报告 2018】南

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    【视频报告 2018】南
    黄光的突破拉开了没有荧光粉LED照明技术的序幕产业的序幕，无荧光粉固态照明技术为半导体照明产业注入新的活力，有望在智能照明
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    limit2021-04-29 12:18

  • 【视频报告 2018】华

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    【视频报告 2018】华
    薄膜倒装芯片（TFFC）在结构上完全有别于正装芯片、倒装芯片和垂直芯片，它既没有正装芯片和倒装芯片所带有的蓝宝石衬底，也没有
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    limit2021-04-29 12:12

  • 【视频报告 2018】国

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    【视频报告 2018】国
    佛山市国星光电股份有限公司电研发中心副主任兼白光器件事业部副总经理谢志国在《LED健康照明器件的技术研究及产品应用》报告中
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    limit2021-04-29 12:09

  • 【视频报告 2018】港

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    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
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    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】电

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    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04

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