《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室

《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院

《新型GaN外延结构及其应用》作者：程凯单位：苏州晶湛半导体有限公司

《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波

《石墨烯驱动的应力工程实现用于深紫外LED的无应变AlN薄膜的高质量外延》作者：常洪亮，魏同波，王军喜，李晋闽单位：中国科学院

中微半导体设备（上海）有限公司副总裁MOCVD产品事业部总经理郭世平带来了《氮化物深紫外LED生产型MOCVD机台设计及外延生长的挑

垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si衬底上GaN基外延材料生长及杂质缺陷研究的成果，首次提供了在C掺杂半绝缘氮化镓中取代C原子占据N位点的明确证据。

中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告，分享了该领域的研究动态以及研究成果。

挪威科学技术大学教授，挪威科学技术院院士Helge WEMAN带来了题为采用石墨烯衬底和透明底部电极的AlGaN纳米线外延 UV LED的主题

报告嘉宾：Aixtron China Limited大客户经理李曜 报告主题：《针对未来GaAs/InP基激光器的外延大规模生产》

报告嘉宾：西安唐晶量子科技有限公司 CEO龚平博士 报告主题：《5G/人工智能时代外延代工的机遇与挑战》

视频简介：下一代半导体器件外延制备前期的衬底清理技术 In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

报告嘉宾：AIXTRON SE高级产品经理Sven Bauerdick 报告主题：《AIX G5WW C - 开创SiC外延量产新纪元》

北京大学刘放做了题为高质量h-BN薄层和针对III族氮化物外延的缓冲层应用的主题报告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE异位高温退火合成结晶h-BN，晶体h-BN作为Ⅲ族氮化物外延柔性缓冲层的应用的研究成果。

郑州大学教授刘玉怀做了题为氮化铝/蓝宝石模板上六方氮化硼薄膜的有机金属气相外延研究的报告，介绍了多层h-BN膜的表面和结晶度、微观结构和键合结构。h-BN在AlN上的生长模型等研究内容。研究成功证明了通过脉冲模式MOVPE在AlN模板上直接生长单晶多层h-BN，在AlN表面上形成连续和聚结的多层h-BN，提出了初始帽形核的生长模型，然后在AlN上进行h-BN的二维横向生长。

同步辐射X射线衍射法实现氮化镓衬底及同质外延薄膜晶格面倾斜可视化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本国立材料研究所SPring-8 BL15XU线站站长，东京工业大学兼职教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

德国爱思强股份有限公司Vincent MERIC分享了化合物半导体外延量产解决方案，讨论6英寸到8英寸的GaAs VCSEL激光器、GaN/InGaAs Mi

对话内容：Micro LED在今年吸引了大家的眼球，由于其优良的光电学特性，Micro LED很有希挑战现有的LCD及OLED技术，掀起一场显示器技术的革命。在2018年10月24日召开的ChinaSSL会议上，联盟有幸采访到来自德国爱思强的产品线总监Jens Voigt博士。Voigt博士自2001年加入AIXTRON并担任外延工艺科学家一职，主要负责氮化镓MOCVD外延生长以满足LED生产需求。他现任德国爱思强产品线总监，负责MOCVD外延机台的销售，服务以及市场拓展工作。此次Voigt博士针对Mic

日本Novel Crystal Technology公司总裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶体块体和外延生长的报告，分享了其最新研究成果。

德国 ALLOS semiconductors GmbH 总裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精确应变控制和优异发射均匀性的200mm硅基镓氮LED外延片”报告。他表示，精准的应变控制对硅基镓氮的晶圆，能够通过结合形成中间层来获得，能够让我们有精确的应变控制，之前产业是没有想象过的，能够让我们实现刚刚说的五大特点。问题是什么？ 副作用是什么？我们看没有幅面的作用，对于我们生产来说是完全可以实现的。