• 朱昱豪:基于氮化镓金
    《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者:朱昱豪,崔苗,李昂,方志成,文辉清,刘雯单位:西交利物浦大学智能工程学院
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    limit2022-01-05 17:11
  • 汪洋:半导体用SiC涂
    《半导体用SiC涂层石墨托盘的制备与国产化》作者:汪洋,万强单位:湖南德智新材料有限公司,南京工业大学材料科学与工程学院
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    limit2022-01-05 17:09
  • 皮孝东:半导体碳化硅
    《半导体碳化硅晶圆生长和单晶加工》作者:皮孝东单位:浙江大学硅材料国家重点实验室
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    limit2022-01-05 17:02
  • 江晓松:宽禁带半导体
    《宽禁带半导体工艺气体纯化》作者:江晓松单位:上海先普气体技术有限公司
    12500
    limit2022-01-05 15:28
  • 刘斌:量子点/氮化物
    《量子点/氮化物半导体集成结构的Micro-LED器件制备与应用》作者:刘斌,许非凡,余俊驰,陶涛,陆海,陈敦军,张荣单位:南京大
    18100
    limit2022-01-05 11:31
  • 黄丰:宽禁带半导体
    《宽禁带半导体材料中载流子调控的普适性原理探讨》作者:黄丰单位:中山大学材料学院
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    limit2022-01-05 11:13
  • 黎大兵:AlN基宽禁带
    《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者:黎大兵,孙晓娟,蒋科,贲建伟,张山丽,单位:中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者:黎大兵,孙晓娟,蒋科,贲建伟,张山丽,单位:中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体
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    limit2022-01-05 09:19
  • 【视频报告 2018】基
    深圳基本半导体有限公司副总经理张振中介绍了《高性能 3D SiC JBS 二极管》主题报告;张振中对各种类型的碳化硅器件,包括高压PiN二极管、高温JBS二极管、SBD管、平面及沟槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二极管、MESFET都有从版图设计引入到量产工艺开发直到后期失效分析及良率提升等一系列的工艺技术IP和产业化经验。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【视频报告 2018】中
    中微半导体设备(上海)有限公司副总裁MOCVD产品事业部总经理郭世平带来了《氮化物深紫外LED生产型MOCVD机台设计及外延生长的挑
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    limit2021-04-29 12:23
  • 【视频报告 2018】中
    中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵分享了《III族氮化物基射频HEMT、HBT与滤波器》报告,受限于铌酸锂声速较低(3400-4000 m/s),商用铌酸锂基声表面波(SAW)滤波器工作频率通常低于3 GHz,难以满足通讯系统频率不断提升的需求,因此基于高声速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高频SAW滤波器成为研究热点。分别在铌酸锂衬底和AlN/蓝宝石衬底上制备出叉指宽度为2 靘的SAW滤波器,铌酸锂SAW滤波器的中心频率为426.7 MHz,而AlN基SAW 滤
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【视频报告 2018】河
    河北半导体研究所高级工程师的李静强分享了《GaN 内匹配封装器件仿真技术研究》主题报告。
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【视频报告 2018】大
    深圳大道半导体有限公司总经理兼产品总监李刚带来了薄膜倒装芯片及其芯片级封装与应用的报告,分享了一系列制备薄膜倒装芯片的关
    000
    limit2021-04-29 12:19
  • 【视频报告 2018】荷
    荷兰代尔夫特理工大学高压能量系统的性能部门教授Rob ROSS做了关于基于浴盆曲线类型和相似性的半导体批量性能的报告,带来了其在
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    limit2021-04-29 12:12
  • 【视频报告 2018】中
    陈雄斌研究员在报告中介绍了单向710Mbps传输VLC系统和对称的100Mbps互联网接入系统。他表示,可见光通信这项无线光通信新技术比
    000
    limit2021-04-29 12:08
  • 【视频报告 2018】中
    中科院半导体所张翔带来了关于石墨烯提升氮化铝核化以及高质量氮化铝薄膜外延层的报告,分享了该领域的研究动态以及研究成果。
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    limit2021-04-29 12:04
  • 【视频报告 2019】中
    中国科学院半导体研究所研究员,科技部重点研发计划专项项目负责人王军喜分享《深紫外LED研发进展及国家重点研发计划深紫外项目》
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    limit2021-04-29 11:02
  • 【视频报告 2019】沙
    沙特国王科技大学教授李晓航分享了《半导体深紫外激光LED和设计软件》研究报告。
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    limit2021-04-29 11:00
  • 视频 2019--国家半导
    2019年是国家半导体照明工程研发及产业联盟成立十五周年重要年份,联盟吴玲理事长寄语致谢并收到国家发展和改革委员会应对气候变
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    limit2021-04-29 10:56
  • 【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告,介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率,通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展,并揭示了器件机理;此外,针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究,系统探究了各种
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    limit2021-04-29 10:46
  • 【视频报告 2019】南
    南京大学教授陆海报告中介绍了宽禁带半导体紫外光电探测器及其应用进展。介绍了基于III族氮化物半导体和SiC的高性能UV光电探测器的材料生长,设计和制造方面的最新工作。
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    limit2021-04-29 10:46
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