中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授带来了超宽禁带半导体器件与材料的若干新进展 的主题报告；中科院外籍院士、中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士带来了第三代半导体中的压电电子学与压电光电子学的主题报告；厦门大学校长张荣教授介绍了氮化物半导体基 Micro-LED显示技术新进展；大会主席、中国科学院半导体研究所李晋闽研究员带来了氮化物深紫外LED光源助力公共卫生安全 的主题报告。几大精彩主题报告，从技

氧化镓基双极型异质结功率器件研究叶建东*，巩贺贺，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顾书林，陆海，张荣，郑有炓南京大学

氧化镓半导体器件龙世兵*，徐光伟，赵晓龙，侯小虎中国科学技术大学

全GaN功率器件与集成研究黄森*，蒋其梦，王鑫华，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所

硅基GaN电子器件研究进展孙钱中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

从应用端看GaN功率电子器件面临的关键可靠性难题及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陈敦军，张荣，郑有炓，陆海*南京大学

面向全GaN集成的高性能GaN基增强型p-FET器件研究金昊，蒋其梦*，黄森*，王鑫华，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，刘新宇中国科学院微电子研究所

GaN基肖特基功率器件研究新进展陈鹏*，徐儒，刘先程，梁子彤，殷鑫燕，谢自力，修向前，陈敦军，刘斌，赵红，张荣，郑有炓南京大学

基于宽禁带半导体的深紫外发光与探测器件研究吴峰*，戴江南，陈长清华中科技大学

InGaN基红光Micro-LED器件研究庄喆*，刘斌，张荣南京大学

面向可见光通信与传感应用的微小尺寸LED器件研究刘斌*，许非凡，王彬，陶涛，田朋飞，王国斌，徐科，黄凯，张荣南京大学