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沈波：高质量 AlN 单
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沈波：高质量 AlN 单
《高质量 AlN 单晶衬底和外延薄膜的制备》沈波教授北京大学
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limit2022-01-11 17:23
张赫朋：室温1.04 mA/
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张赫朋：室温1.04 mA/
《室温1.04 mA/cm2峰值电流密度AlN/GaN双势垒共振隧穿二极管》作者：张赫朋，薛军帅，张进成，郝跃单位：西安电子科技大学微电子学院
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limit2022-01-07 13:34
金雷:PVT法AlN单晶生
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金雷:PVT法AlN单晶生
《PVT法AlN单晶生长机理研究》作者：金雷，武红磊，程红娟，覃佐燕单位：深圳大学，中国电子科技集团公司第四十六研究所
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limit2022-01-06 11:07
张纪才：半极性AlN材
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张纪才：半极性AlN材
《半极性AlN材料的HVPE生长研究》作者：张纪才，孙茂松，李旭，刘婷单位：北京化工大学数理学院，广西大学物理科学与工程技术学院
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limit2022-01-06 11:04
吴亮：PVT法同质外延
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吴亮：PVT法同质外延
《PVT法同质外延生长高质量2英寸Al极性AlN单晶研究》作者：李哲，张刚，雷丹，黄嘉丽，付丹扬，王琦琨，吴亮单位：奥趋光电技术（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
张峰：Atomic layer d
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张峰：Atomic layer d
Atomic layer deposition of AlN on 4H-SiCAuthor: Feng Zhang, Zhanwei Shen, Jun ChenInstitute: Xiamen University, Institut
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limit2022-01-05 11:17
刘志彬：溅射中痕量氧
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刘志彬：溅射中痕量氧
《溅射中痕量氧气对高温退火AlN模板的极性调节作用》作者：刘志彬，郭亚楠，闫建昌，曾一平，李晋闽，王军喜单位：中国科学院半
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limit2022-01-05 11:07
陈荔：基于高温热退火
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陈荔：基于高温热退火
《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波
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limit2022-01-05 11:02
Ye Yuan: The prepara
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Ye Yuan: The prepara
The preparation of low-cost and 4 inch AlN template for high performance UVC-LEDAuthor: Ye Yuan, Shangfeng Liu, Lijie Hu
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limit2022-01-05 11:00
魏同波：石墨烯驱动的
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魏同波：石墨烯驱动的
《石墨烯驱动的应力工程实现用于深紫外LED的无应变AlN薄膜的高质量外延》作者：常洪亮，魏同波，王军喜，李晋闽单位：中国科学院
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limit2022-01-05 10:53
黎大兵：AlN基宽禁带
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黎大兵：AlN基宽禁带
《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体
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limit2022-01-05 09:19