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沈波：高质量 AlN 单
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沈波：高质量 AlN 单
《高质量 AlN 单晶衬底和外延薄膜的制备》沈波教授北京大学
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limit2022-01-11 17:23
俞冬雷：高效P型掺杂
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俞冬雷：高效P型掺杂
《高效P型掺杂镁源特性及外延中应用优劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王伟，李强强，王宏波，郑锐单位：安徽亚格盛电子新材料有限公司
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limit2022-01-10 10:57
陈凯：基于MPCVD法异
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陈凯：基于MPCVD法异
《基于MPCVD法异质外延生长金刚石膜的研究》作者：陈凯，胡文晓，叶煜聪，刘斌，陶涛，张荣单位：江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院，厦门大学
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limit2022-01-07 14:59
李忠辉：新型Al(Ga)N/
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李忠辉：新型Al(Ga)N/
《新型Al(Ga)N/GaN异质结外延材料研究》作者：李忠辉，彭大青，张东国，李传皓，杨乾坤，罗伟科，董逊，李亮单位：南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成电路国家级重点实验室
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limit2022-01-07 11:15
何云斌：ZnO多元合金
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何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生长、带隙调控及其紫外光电探测器研究》作者：何云斌，黎明锴，卢寅梅，张腾，陈剑，刘洋，郭紫曼，汪洋单位：湖北大学材料科学与工程学院
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limit2022-01-07 10:19
张涛：MOCVD异质外延G
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张涛：MOCVD异质外延G
《MOCVD异质外延Ga2O3薄膜及其相变的研究》作者：张涛，胡志国，程倩，冯倩，张雅超，张进成单位：西安电子科技大学微电子学院
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limit2022-01-06 11:39
李悦文：亚稳相正交结
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李悦文：亚稳相正交结
《亚稳相正交结构-Ga2O3薄膜的异质外延研究》作者：李悦文，修向前，许万里，施佳城，朱宇霞，张荣，郑有炓单位：南京大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-06 11:09
吴亮：PVT法同质外延
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吴亮：PVT法同质外延
《PVT法同质外延生长高质量2英寸Al极性AlN单晶研究》作者：李哲，张刚，雷丹，黄嘉丽，付丹扬，王琦琨，吴亮单位：奥趋光电技术（杭州）有限公司
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limit2022-01-06 11:02
余烨：面向长波长LED
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余烨：面向长波长LED
《面向长波长LED应用的石墨烯/SiC衬底上应变弛豫GaN薄膜的外延生长研究》作者：余烨，于佳琪，邓高强，张宝林，张源涛单位：吉林大学电子科学与工程学院
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limit2022-01-06 10:56
刘志强：氮化物“异构
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刘志强：氮化物“异构
《氮化物异构外延》作者：刘志强，高鹏，伊晓燕，闫建昌，魏同波，王军喜，刘忠范，李晋闽单位：中科院半导体所，北京大学，北京石墨烯研究院
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limit2022-01-06 10:50
王新强：二维材料上氮
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王新强：二维材料上氮
《二维材料上氮化物半导体准范德华外延界面调控研究》作者：刘放，王涛，张智宏，申彤，杨怀远，盛博文，荣新，陈兆营，刘开辉，李新征，沈波，王新强单位：北京大学
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limit2022-01-06 10:48
张文瑞：介稳态氧化镓
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张文瑞：介稳态氧化镓
《介稳态氧化镓薄膜的外延生长与异质集成》作者：张文瑞单位：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
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limit2022-01-06 10:26
宁静：范德华外延氮化
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宁静：范德华外延氮化
《范德华外延氮化物异质结构与光电集成》作者：宁静，张进成，郝跃单位：西安电子科技大学微电子学院
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limit2022-01-06 10:19
马骋：硅基氮化镓外延
2560
马骋：硅基氮化镓外延
《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
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limit2022-01-05 16:53
刘建勋：大尺寸硅基Ga
2810
刘建勋：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
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limit2022-01-05 16:49
程凯：新型GaN外延结
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程凯：新型GaN外延结
《新型GaN外延结构及其应用》作者：程凯单位：苏州晶湛半导体有限公司
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limit2022-01-05 13:18
陈荔：基于高温热退火
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陈荔：基于高温热退火
《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波
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limit2022-01-05 11:02
魏同波：石墨烯驱动的
1690
魏同波：石墨烯驱动的
《石墨烯驱动的应力工程实现用于深紫外LED的无应变AlN薄膜的高质量外延》作者：常洪亮，魏同波，王军喜，李晋闽单位：中国科学院
16900
limit2022-01-05 10:53