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杨敏：低硅三甲基铝产
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杨敏：低硅三甲基铝产
《低硅三甲基铝产品的开发》作者：邢怀勇，朱熠，吉敏坤，杨敏单位：江苏南大光电材料股份有限公司
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limit2022-01-06 10:59
梅洋：GaN基VCSEL技术
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梅洋：GaN基VCSEL技术
《GaN基VCSEL技术进展》作者：梅洋，郑重明，许荣彬，应磊莹，龙浩，郑志威，张保平单位：厦门大学微电子与集成电路系微纳光电子研究室
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limit2022-01-06 10:43
孙海定：AlGaN基紫外
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孙海定：AlGaN基紫外
《AlGaN基紫外发光和新型紫外光电化学光探测器研究进展》作者：孙海定，龙世兵单位：中国科学技术大学
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limit2022-01-06 10:30
王蓉：半导体碳化硅材
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王蓉：半导体碳化硅材
《半导体碳化硅材料中位错的基本性质研究》作者王蓉，李佳君，罗昊，杨德仁，皮孝东单位：浙江大学杭州国际科创中心，浙江大学硅材料国家重点实验室和材料科学与工程学院
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limit2022-01-06 10:21
刘清：基于SiC厚膜的
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刘清：基于SiC厚膜的
《基于SiC厚膜的极低漏电高灵敏度室温软X射线探测器》作者：刘清，徐尉宗，羊群思，周东，张荣，郑有炓，陆海单位：南京大学电子科学与工程学院，江苏省光电信息功能材料重点实验室
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limit2022-01-06 10:17
黎明锴：基于二氧化锡
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黎明锴：基于二氧化锡
《基于二氧化锡的紫外光电探测器研究》作者：黎明锴，刘伯涵，肖兴林，魏皓然，刘凤新，李强，张兴业，陈粤，何云斌单位：湖北大学材料科学与工程学院
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limit2022-01-05 17:27
程其进：氧化镓基日盲
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程其进：氧化镓基日盲
《氧化镓基日盲紫外光电探测器的制备及特性研究》作者：程其进，徐翔宇, 陈文山，龚彧亨，陈文澄，张洪良单位：厦门大学电子科学与技术学院，厦门大学化学与化学学院
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limit2022-01-05 17:20
朱昱豪：基于氮化镓金
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朱昱豪：基于氮化镓金
《基于氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成DFF-NAND与DFF-NOR电路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文辉清，刘雯单位：西交利物浦大学智能工程学院
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limit2022-01-05 17:11
袁昊：万伏级4H-SiC基
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袁昊：万伏级4H-SiC基
《万伏级4H-SiC基IGBT器件设计与制备技术》作者：刘延聪，唐冠南，汤晓燕，袁昊，宋庆文，张玉明单位：西安电子科技大学，中国人民解放军空军工程大学
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limit2022-01-05 17:00
马骋：硅基氮化镓外延
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马骋：硅基氮化镓外延
《硅基氮化镓外延材料射频损耗产生机理及其抑制方法》作者：马骋，杨学林，刘丹烁，蔡子东，陈正昊，沈波单位：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
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limit2022-01-05 16:53
刘建勋：大尺寸硅基Ga
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刘建勋：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射频器件材料外延生长研究》作者：刘建勋，詹晓宁，孙秀建，黄应南，高宏伟，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院
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limit2022-01-05 16:49
梁锋：GaN基大功率蓝
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梁锋：GaN基大功率蓝
《GaN基大功率蓝光激光器》作者：梁锋，赵德刚单位：中国科学院半导体研究所
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limit2022-01-05 16:06
孙钱：硅衬底GaN基激
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孙钱：硅衬底GaN基激
《硅衬底GaN基激光器研究进展》作者：冯美鑫，刘建勋，孙钱，杨辉单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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limit2022-01-05 15:36
龚政：氮化镓基Micro-
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龚政：氮化镓基Micro-
《氮化镓基Micro-LED巨量转移及红光芯片进展》作者：龚政单位：广东省科学院半导体研究所
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limit2022-01-05 13:22
黄思溢：基于水平常压
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黄思溢：基于水平常压
《基于水平常压式MOCVD的低温p-GaN生长与性能表征》作者：黄思溢，池田昌夫，张名龙，张峰，朱建军，刘建平，杨辉单位：中国科学
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limit2022-01-05 11:27
陈荔：基于高温热退火
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陈荔：基于高温热退火
《基于高温热退火技术的半极性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陈荔，郭炜，林伟，陈航洋，康俊勇，叶继春单位：中国科学院宁波
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limit2022-01-05 11:02
许福军：AlGaN基深紫
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许福军：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：许福军，沈波，单位：北京大学物理学院
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limit2022-01-05 09:53
黎大兵：AlN基宽禁带
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黎大兵：AlN基宽禁带
《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体缺陷调控及p型掺杂研究》作者：黎大兵，孙晓娟，蒋科，贲建伟，张山丽，单位：中国科学院长春光机所、中国科学院大学材料科学与光电工程中心《AlN基宽禁带半导体
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limit2022-01-05 09:19