半导体材料产业的现状和挑战Status and Challenge of Semiconductor Material Industry杨德仁中国科学院院士、浙大宁波理工学院校长、浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室主任、教授YANG DerenAcademician of Chinese Academy of Sciences,President of NingboTech University, Professor and Director of State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials, Zhejiang University

氨热法氮化镓单晶生长研究进展及面临的挑战Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任国强中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、研究员REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences

轨道交通SiC功率器件研究与应用进展刘国友株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家、功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任

超宽禁带半导体氧化镓和氮化铝特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN张道华深圳平湖实验室第四代半导体首席科学家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore

AlGaN/GaN HEMT能带工程和界面调制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡卫国中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences

高品质磷化铟衬底对激光器性能影响研究Effect of High Quality InP Substrate on Laser Performance惠峰云南锗业公司首席科学家、云南鑫耀半导体材料有限公司总经理HUI FengChief Scientist of Yunan Germanium Co.,ltd

氮化镓基激光器和超辐射管研究进展Progress of GaN based laser diodes and superluminescene diodes刘建平中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件研究部 研究员LIU JianpingProfessor of Nanodevice Research Department of Suzhou Institute of Nanotechnology and Nanobionics, Chinese Academy of Sciences

基于表面电位的-Ga2O3功率MOSFET紧凑模型A Surface Potential Based Compact Model for -Ga2O3 Power MOSFETs周凯中国科学技术大学ZHOU KaiChina University of Science and Technology

金刚石微波功率器件进展Progress in Diamond Microwave Power Devices冯志红中国电科首席科学家、中国电科13所研究员、专用集成电路国家级重点实验室常务副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute

超宽禁带六方氮化硼二维原子晶体及其光电器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices张兴旺中国科学院半导体所研究员ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

利用泵浦-探测瞬态反射显微技术测定立方砷化硼的高双极性迁移率High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide（BAs）Revealed by Transient Reflectivity Microscopy刘新风国家纳米科学中心研究员,中科院纳米标准与检测重点实验室副主任LIU XinfengProfessor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences

无损表征氮化镓外延热物性的瞬态热反射技术Transient thermoreflectance technique for non-invasively characterizing the thermal properties of GaN epitaxial wafer袁超武汉大学工业科学研究院研究员YUAN ChaoProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

新型MO源及在第三代半导体中的应用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors杨敏江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家

平片蓝宝石衬底上高质量AlN材料MOCVD外延生长High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD赵德刚中国科学院半导体所研究员ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

Ⅲ族氮化物半导体光电子器件的几个科学问题张荣--厦门大学校长、教授

中国科学院微电子研究所研究员龙世兵分享了基于(100) -Ga2O3 单晶的肖特基二极管和MOS电容的研究成果。基于型氧化镓所生产的一些器件在能源使用中发挥着重要的作用。能源使用的安全性是一个重要问题，在自然能源不断减少，价格不断上升的背景下，我们需要找到一个更加有效的方式来利用能源。当前在高电压应用领域，包括高铁和智能电网等，硅仍然是主导材料，但有一定局限性，比如禁带比较窄等。与宽禁带材料相比，有弱势的地方。