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  • 【视频报告 2018】P.S

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    【视频报告 2018】P.S
    高温、高功率宽带隙半导体要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶体生长过程。今天，SiC是通过气相或液相法生长的，它包括下列过程：反应物的生成、反应物到生长表面的传输、生长表面的吸附、成核和最终晶体生长。GT Advanced Technologies首席技术官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅衬底技术的最新进展》技术报告，报告中介绍了不同的SiC晶体生长过程以及SiC技术的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】周

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    【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】香

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    【视频报告 2018】香
    矩阵转换器被认为是一种最优异的交流-交流功率转换结构，因为其主要依赖于双向开关而几乎不需要其他被动组件。它不仅提升了能量转换效率，而且可以突破传统的通用逆变器所存在的开关切换速度，工作温度以及电压等级的限制。在此基础下，新型碳化硅（SiC）组件以及先进功率器件封装的应用将带来新一代矩阵转换器的重大发展与变革。香港应用科技研究院功率器件组总监袁述分享了《新一代碳化硅矩阵变换器》主题报告，报告中回顾矩阵转
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】台

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    【视频报告 2018】台
    【极智报告】台湾长庚大学邱显钦教授：适用于第五代移动通讯六吋与八吋硅基氮化镓微波器件解决方案
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    limit2021-04-29 12:20

  • 【视频报告 2019】河

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    【视频报告 2019】河
    河北工业大学教授张紫辉带来了题为基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析的精彩报告，介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 研究通过极化调制、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率，通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展，并揭示了器件机理；此外，针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究，系统探究了各种
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    limit2021-04-29 10:46

  • 【视频报告】英诺赛科

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    【视频报告】英诺赛科
    英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
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    limit2021-04-26 15:05

  • 美国Aymont Technolog

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    美国Aymont Technolog
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    limit2020-03-19 11:29

  • 【视频报告 2019】天

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    【视频报告 2019】天
    报告嘉宾：北京天科合达半导体股份有限公司副总经理兼技术总监刘春俊博士 报告主题：《大尺寸碳化硅单晶生长研究及产业进展》
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    limit2020-03-19 10:27

  • 【视频报告】厦门大学

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    【视频报告】厦门大学
    报告简介单晶4H型碳化硅台阶生长机理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林伟厦门大学副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
    227200
    limit2020-03-08 10:21

  • 美国NAURA-Akrion, In

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    美国NAURA-Akrion, In
    美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先进化学浓度控制技术的研究成果。在传统的MEMS制备中，相对惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蚀停止或者制备衬底中的掩膜。然而这种材料需要了解刻蚀对于衬底的选择性。对于过去的20年，研究发现碳化硅（SiC）因为其化学性质比较惰性已经可以作为传统批量微加工刻蚀停止的替代物。包括燃料雾化器，压力传感器和微型模具等MEMS应用中可以使用典型
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    limit2019-12-31 13:02

  • 英诺赛科科技有限公司

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    英诺赛科科技有限公司
    英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇分享了硅基氮化镓产业化发展的机遇与挑战。骆薇薇在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两
    541800
    limit2019-12-31 12:38

  • 英诺赛科研发中心副总

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    英诺赛科研发中心副总
    英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告
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    limit2019-12-30 13:03

  • Victor VELIADIS教授

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    Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市
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    limit2018-12-01 12:43

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