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  • 视频报告 2017---功率

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    视频报告 2017---功率
    美国国家工程院院士、美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人Umesh K. MISHRA的高足吴毅锋博士，分享了功率器件之争：宽禁带vs硅的发展动态。 吴毅锋表示宽禁带技术对于电力、能源节约具有非常重要的意义。我们需要继续发展功率元件，该领域的市场潜力非常大，对于功率器件而言，可靠性至关重要。结合目前的发展情况，对于硅、碳化硅和硅基氮化镓来说，硅基氮化镓能力性可能更强。硅是目前功率元件中最成功的，已经
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    limit2021-04-29 12:39

  • 【视频报告 2018】株

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    【视频报告 2018】株
    株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部副总经理研发中心主任戴小平介绍了《多电飞机平面封装型碳化硅功率模块》技术报告；
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    limit2021-04-29 12:27

  • 【视频报告 2018】周

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    【视频报告 2018】周
    美国伦斯勒理工学院的周达成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和稳健性》；
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    limit2021-04-29 12:25

  • 【视频报告 2018】苏

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    【视频报告 2018】苏
    苏州能讯高能半导体有限公司李元分享了《以系统方法实现氮化镓射频功率器件的高可靠性：我们的成就及新进展》主题报告。氮化镓射频功率器件因其优良的性能而在基础工业领域（如5G通讯基站）具有广泛的应用前景。基础工业应用要求的超长连续工作寿命及可能的外部恶劣工作环境，对器件的可靠性提出了更高的要求。能讯高能半导体通过一个系统工程，从产品设计，工艺开发，器件生产，到最终筛选测试，每一个环节都按严格的程序进行，确
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    limit2021-04-29 12:21

  • 【视频报告 2018】港

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    【视频报告 2018】港
    集成功率器件与智能控制单元、基于片上系统解决方案的智能功率芯片技术成为未来功率系统的最佳选择。然而，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告，该技术能够实现智能功率集成所需的功率模块和各种控制单元模块。
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    limit2021-04-29 12:06

  • 【视频报告 2018】加

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    【视频报告 2018】加
    与功率MOS场效应晶体管相比，驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难，这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率问题。现有的氮化镓驱动集成电路需要外部电阻器设定上拉速度和下拉速度，这将导致印刷电路板空间和额外寄生效应的增加。现有的氮化镓驱动集成电路的其他缺陷诸如固定的输出电压、无精确定时控制能力等也限制了其应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了
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    limit2021-04-29 12:05

  • 【视频报告 2018】电

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    【视频报告 2018】电
    电子科技大学教授明鑫带来了功率GaN器件驱动技术的报告，分享了该技术领域的最新进展。
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    limit2021-04-29 12:04

  • 【极智课堂】芯谋研究

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    【极智课堂】芯谋研究
    芯谋研究总监李国强 《功率半导体的市场分析》
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    limit2021-04-26 16:21

  • 西安卫光科技微晶微电

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    西安卫光科技微晶微电
    西安卫光科技微晶微电子有限公司总工程师、博士冯 巍 《SiC功率MOSFET封装工艺》
    126200
    limit2020-02-02 16:22

  • 芯谋研究总监李国强：

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    芯谋研究总监李国强：
    芯谋研究总监李国强：功率半导体的市场分析
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    limit2020-02-01 10:39

  • 加拿大多伦多大学教授

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    加拿大多伦多大学教授
    加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了《用于增强型GaN功率晶体管的智能门极驱动芯片》研究报告。吴伟东，多伦多大学电子与计算机工
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    limit2020-01-28 12:45

  • 荷兰代尔夫特理工大学

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    荷兰代尔夫特理工大学
    荷兰代尔夫特理工大学教授Braham FERREIRA带来了题为宽禁带功率半导体国际技术路线图的精彩报告，介绍了宽禁带功率半导体国际技
    593100
    limit2019-12-31 12:41

  • 英诺赛科研发中心副总

    22280

    英诺赛科研发中心副总
    英诺赛科研发中心副总裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化镓材料功率器件技术：从器件、封装、到系统》研究报告
    222800
    limit2019-12-30 13:03

  • 日本德岛大学教授敖金

    32360

    日本德岛大学教授敖金
    日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授敖金平分享了《常关型AlGaN/GaN HFET功率器件的发展》技术报告。敖金平博士1989年毕
    323600
    limit2019-12-29 13:00

  • Victor VELIADIS教授

    3240

    Victor VELIADIS教授
    2018年10月23日下午，第十五届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2018）暨2018国际第三代半导体论坛（IFWS 2018）开幕大会在深圳会展中心隆重召开。大会以创芯聚智 共享生态为主题，吸引了来自海内外半导体照明，第三代半导体及相关领域的专家学者、企业领袖、行业机构领导以及相关政府官员的积极参与，共同论道产业发展。 本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、深圳市
    32400
    limit2018-12-01 12:43

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