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北京大学物理学院教授于彤军:大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊:氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究
奥趋光电王琦琨博士:PVT法生长高质量大尺寸AlN单晶的最新进展与挑战
中科院苏州纳米研究所司志伟:助熔剂法氮化镓微碟不同极性面的光学性能
日本产业技术综合研究所沈旭强:无氨高温 MOCVD 生长的高质量极性和半极性氮化铝
中科院半导体研究所张逸韵:玻璃衬底氮化物异构外延
中镓半导体刘强:2英寸低位错密度高电导率和半绝缘氮化镓自支撑衬底的生长
河北半导体研究所高楠:国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料
中科院宁波材料技术与工程研究所陈荔:基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究
最新关注 氮化物半导体衬底与外延技术进展
硅晶圆大厂激进扩产第三代半导体 群雄争抢下一代电动车“入场门票”
日本首相顾问呼吁:未来10年应向半导体行业投入880亿美元
瑞芯微发布系列车载电子解决方案
基于氮化镓业务发展的考虑 赛微电子(300456.SZ)拟转让聚能国际24.5%股权
氮化镓
业务发展
赛微电子
聚能国际
天岳先进在科创板招股书注册稿生效,2021年第三季度利润有所下滑
中科钢研高纯碳化硅粉和智能高端装备制造项目开工
三安光电副总陈东坡:碳化硅器件在长续航新能源车型中渗透率或将达100%
西电张进成教授团队最新成果:基于p-SnO帽层栅的高阈值增强型AlGaN/GaN HEMTs
划重点!上海高端装备产业发展“十四五”规划出炉,产值将突破7000亿元
山西烁科晶体马康夫:化合物半导体材料发展展望
又一家碳化硅功率器件厂商完成C轮亿元级融资
厦门大学校长张荣教授:宽禁带半导体全面支撑光电子技术的可持续发展
厦门大学
校长
张荣
教授
宽禁带半导体
光电子技术
GB20943国家强制能效标准升级已全面启动
晶方科技拟加强对第三代半导体氮化镓器件公司VisIC的投资
晶方科技
以色列
第三代半导体
VisIC
投资
联盟积极对接院校机构 共建产教融合基地
华瑞微完成B轮、B+轮3亿元融资
无锡诞生全球最薄半导体GaN晶体,厚度突破1厘米!
芯聚能总裁周晓阳:碳化硅应用于新能源汽车电机电控系统的挑战与优化思路
广东芯聚能周晓阳:SiC应用于新能源汽车电驱电控系统的挑战与优化思路
华东光电集成器件研究所展明浩:MEMS传感器发展现状及在自动驾驶中的应用
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页
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