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《GaN半导体激光器产业发展蓝皮书》启动编制工作，征集业内机构及企业参编单位！
 评论 ⋅  2025-06-25 11:43
氮矽科技推出TOLL封装的增强型硅基氮化镓（GaN）晶体管
 评论 ⋅  2025-06-24 14:48
科研成果| 硅基金刚石热沉在GaN功率放大器中的应用
 评论 ⋅  2025-06-18 09:49
国产突破！无锡先为科技首台GaN MOCVD外延设备成功发货
 评论 ⋅  2025-06-18 08:19
深圳平湖实验室GaN课题组刘轩博士研究成果亮相国际顶级学术会议ISPSD2025
 评论 ⋅  2025-06-17 10:40
CSA半导体激光器专委会启动半导体激光器团体标准制定与GaN激光器产业发展蓝皮书编制工作
 评论 ⋅  2025-06-12 17:53
标准 |《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》发布
 评论 ⋅  2025-05-26 14:18
北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
 评论 ⋅  2025-05-22 18:32
京东方华灿GaN电力电子突破：消费级可靠性1000H突破，工业级JEDEC蓄势待发
 评论 ⋅  2025-05-22 14:05
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-05-20 14:08
1250mW、BLG 展示创世界纪录的单模 GaN 激光器
 评论 ⋅  2025-05-19 17:16
CSPSD 2025前瞻|上海大学任开琳：E型GaN HEMT和pFET的稳定性增强研究
 评论 ⋅  2025-05-19 11:02
科研成果| p-GaN栅HEMT器件在负栅压阻断态下的重离子辐照 可靠性实验研究
 评论 ⋅  2025-05-16 12:01
CSPSD 2025前瞻|中国科学技术大学杨树：高压低阻垂直型GaN功率电子器件研究
 评论 ⋅  2025-05-15 14:13
CSPSD 2025前瞻|英诺赛科孟无忌：GaN“上车”之路——氮化镓在电动汽车中应用方案与优势
 评论 ⋅  2025-05-15 10:20
CSPSD 2025前瞻|香港大学张宇昊：GaN和Ga2O3中的多维器件 超结、多沟道和FinFET
 评论 ⋅  2025-05-14 15:21
CSPSD 2025前瞻|电子科技大学明鑫：面向AI服务器电源的低压GaN驱动电路设计挑战
 评论 ⋅  2025-05-14 11:57
CSPSD 2025前瞻|国联万众王川宝：SiC电力电子芯片技术与SiC基GaN射频芯片技术进展
 评论 ⋅  2025-05-13 10:35
CSPSD 2025前瞻|南京大学陈敦军：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其载流子输运与调控
 评论 ⋅  2025-05-12 14:57
CSPSD 2025前瞻|山东大学刘超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET
 评论 ⋅  2025-05-12 14:56
CSPSD 2025前瞻| 深圳大学刘新科：低成本GaN基GaN功率器件
 评论 ⋅  2025-05-12 11:54
CSPSD 2025前瞻| 西安电子科技大学赵胜雷：GaN HEMT器件击穿机理多维度分析与探讨
 评论 ⋅  2025-05-09 10:36
CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜军：P-GaN HEMT栅极ESD鲁棒性及改进方法
 评论 ⋅  2025-05-08 09:40
CSPSD 2025前瞻|北京大学魏进：GaN功率器件动态电阻与动态阈值电压
 评论 ⋅  2025-05-07 10:04
中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展
 评论 ⋅  2025-05-06 09:32
CSPSD 2025前瞻|中国科学院微电子所黄森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件与集成
 评论 ⋅  2025-04-30 14:19
标准 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片”2项标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2025-04-29 17:23
国家工程研究中心最新突破：磁控溅射AlN覆盖层提升p-GaN HEMT器件性能
 评论 ⋅  2025-04-21 19:05
法国AlN创企EasyGaN宣布倒闭
 评论 ⋅  2025-04-18 14:00
山东大学/晶镓半导体成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底
 评论 ⋅  2025-04-18 12:02
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