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CSPSD2025 | 二十余位专家学者共话硅、
碳化硅
器件及其他高压功率器件新进展!
派恩杰“一种
碳化硅
晶圆衬底的制备方法及
碳化硅
晶圆衬底”专利公布
总投资55亿!
碳化硅
产业园项目落地内蒙古
CSPSD 2025前瞻|东南大学魏家行:
碳化硅
功率MOSFET关键技术新进展
CSPSD 2025前瞻|山东大学彭燕:基于金刚石/
碳化硅
新型异质散热结构的器件应用研究
CSPSD 2025前瞻|浙江大学王珩宇:
碳化硅
功率器件空间电荷补偿技术
CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陈中圆:基于正向压降表征的
碳化硅
MOSFET结温测量方法研究
CSPSD 2025前瞻|超芯星刘欣宇:破界·赋能·引领——化学气相法
碳化硅
衬底技术创新开启未来产业新纪元
基本半导体推出新一代
碳化硅
MOSFET
泰科天润“一种超结快恢复平面栅
碳化硅
VDMOS及其制备方法”专利公布
投资3.9亿元,同光科技年产7万片
碳化硅
单晶衬底项目
三安半导体“
碳化硅
功率器件的制备方法及其
碳化硅
功率器件”专利公布
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长
碳化硅
单晶的装料装置及应用专利,有效提高所制得
碳化硅
晶体的质量
ULVAC中国总裁杨秉君:车规级
碳化硅
市场发展正当时,将持续深耕中国市场
瀚天天成申请降低
碳化硅
外延薄膜表面 Bump 缺陷专利,可提高
碳化硅
外延片质量
碳化硅
外延供应商瀚天天成冲刺港交所
2025新能源汽车增速拐点将至,
碳化硅
行业亟需开辟第二战场
鲁晶半导体与山东大学共建
碳化硅
功率器件产学研合作新生态
金威源与杰平方正式签署
碳化硅
战略合作
12英寸
碳化硅
衬底实现激光剥离
山西中电科公司新研
碳化硅
化学气相沉积装备技术指标达到行业领先水平
天科合达申请在坩埚内部放置石墨件来提升
碳化硅
粉料利用率的专利,能够明显提高原料利用率
西湖仪器:实现12英寸
碳化硅
衬底激光剥离
全球首发!天岳先进携全系列12英寸
碳化硅
衬底产品震撼登场SEMICON China 2025
臻晶半导体自主研发液相法
碳化硅
电阻炉技术,全新解决方案引领行业潮流!
江苏超芯星半导体申请一种 8 英寸
碳化硅
晶圆单面抛光方法专利,显著降低生产成本
泰科天润“一种高可靠平面栅
碳化硅
VDMOS及其制备方法”专利公布
超高压
碳化硅
大功率芯片项目签约
超高压
碳化硅
大功率芯片项目成功签约!
安森美推出基于
碳化硅
的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本
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