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负债1.1亿美元，日本芯片制造商JS Foundry申请破产保护
 评论 ⋅  2025-07-16 09:38
总投资10亿元，见闻录半导体湖州滤波器项目被申请破产审查
 评论 ⋅  2025-07-14 09:28
安徽格恩半导体申请氮化镓基半导体激光器元件专利，提升限制因子
 评论 ⋅  2025-07-08 10:28
新势力正式被申请破产！
 评论 ⋅  2025-06-20 09:02
兆芯集成科创板IPO申请获受理
 评论 ⋅  2025-06-18 09:11
国内湿制程镀层材料龙头创智芯联向港交所主板递交上市申请!
 评论 ⋅  2025-06-13 08:00
盛美上海44.82亿元定增申请获上交所审核通过
 评论 ⋅  2025-06-09 11:08
专利公开 | 多家单位半导体激光器相关专利申请/授权公开
 评论 ⋅  2025-06-05 10:01
寒武纪49.8亿元定增申请获上交所受理
 评论 ⋅  2025-06-05 09:13
Wolfspeed拟申请破产后，瑞萨解散碳化硅团队！
 评论 ⋅  2025-06-03 09:48
瑶芯微申请沟槽型MOSFET器件结构及其制备方法专利，降低器件动态损耗
 评论 ⋅  2025-04-22 11:01
重庆万国半导体申请沟槽型功率半导体器件及其制备方法专利，提高开关速度与线性区能力
 评论 ⋅  2025-04-18 20:05
苏州晶湛半导体申请发光器件相关专利，提高了发光器件生产良率
 评论 ⋅  2025-04-18 18:58
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及应用专利，有效提高所制得碳化硅晶体的质量
 评论 ⋅  2025-04-17 11:44
广东比亚迪节能科技申请MEMS器件及其封装方法专利，降低主体晶圆与衬底晶圆封装难度
 评论 ⋅  2025-04-16 19:36
瀚天天成申请降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷专利，可提高碳化硅外延片质量
 评论 ⋅  2025-04-11 16:30
英飞凌科技申请功率半导体器件相关专利，提升功率半导体器件性能
 评论 ⋅  2025-04-09 15:30
中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的电学性能
 评论 ⋅  2025-04-08 17:34
黑龙江汇芯半导体申请集成有SiC功率器件短路保护的智能功率模块专利，短路保护精度和效率更高
 评论 ⋅  2025-04-08 15:43
苏州无热芯阳半导体申请新型衬底及其氧化物半导体场效应晶体管专利
 评论 ⋅  2025-03-31 10:48
天科合达申请在坩埚内部放置石墨件来提升碳化硅粉料利用率的专利，能够明显提高原料利用率
 评论 ⋅  2025-03-26 19:09
山东晶镓申请一种紫外光催化辅助的氮化镓晶圆抛光方法专利，提高了氮化镓晶圆的抛光效率
 评论 ⋅  2025-03-21 15:31
江苏超芯星半导体申请一种 8 英寸碳化硅晶圆单面抛光方法专利，显著降低生产成本
 评论 ⋅  2025-03-20 16:55
安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利，提升远场图像FFP质量、光束质量因子和激光相干性
 评论 ⋅  2025-03-20 11:03
上海光通信申请半导体结构相关专利，缩小半导体结构线宽提高器件密度
 评论 ⋅  2025-03-20 11:00
英飞凌科技申请功率半导体模块装置及其制作方法专利，实现材料固化形成固体层等操作
 评论 ⋅  2025-02-24 16:44
北方华创申请工艺腔室及半导体工艺设备专利，双重密封提高射频线圈处的密封性
 评论 ⋅  2025-02-24 10:30
长飞先进半导体申请功率器件及相关专利，降低功耗
 评论 ⋅  2025-02-24 10:29
提交申请，宁德时代赴港上市！
 评论 ⋅  2025-02-12 09:26
北京航天赛德申请氮化镓衬底抛光液专利，极大提升氮化镓衬底表面特性
 评论 ⋅  2025-01-08 11:02
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