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国内第一!中国电科46所成功制备6英寸
氧化
镓单晶
中国首颗6英寸
氧化
镓单晶成功制备,第四代半导体呼啸而来
招聘:中科院宁波材料所
氧化
物半导体方向诚聘副研究员和博士后
中国科大龙世兵课题组研制出
氧化
镓垂直槽栅场效应晶体管
北京大学在
氧化
物半导体器件方向取得系列重要进展
简述氮化镓晶格排列
氧化
氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
中国科大在
氧化
镓半导体器件领域取得重要进展
国产4英寸
氧化
镓晶圆衬底技术获突破!
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸
氧化
镓晶圆衬底技术突破
宽禁带
氧化
镓半导体在压电与射频器件中的应用
4英寸
氧化
镓单晶生长与性能分析
基于原子层沉积技术的具有常温相变能力的钨掺杂二
氧化
钒兼容于8寸晶圆及PI薄膜
山东大学成功研制高质量4英寸
氧化
镓晶体
一文读懂
氧化
镓半导体
郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2
氧化
镓二极管并首次在
氧化
镓中实现空穴超注入效应
日企将大规模量产
氧化
镓器件
外媒:日企将大规模量产
氧化
镓器件
A 轮融资近亿元!铭镓半导体将建国内首条
氧化
镓完整产业线
复旦大学卢红亮课题组在柔性
氧化
镓光电探测器方面取得重要研究进展 实现超灵敏的深紫外光探测率
西安交大在
氧化
物薄膜外延领域取得重要进展
一文了解第四代半导体材料
氧化
镓(Ga2O3)
中国科大在
氧化
镓功率电子器件领域取得重要进展
华中科技大学黄亮课题组提出膨化制备超薄
氧化
物新策略
中国研发再突破!15亿美元的
氧化
镓市场如何引发多国博弈?
第四代半导体
氧化
镓,浙大杭州科创中心新技术路线制备 2 英寸晶圆
国际首创!浙大杭州科创中心首次采用新技术路线成功制备2英寸
氧化
镓晶圆
未来10年左右,
氧化
镓器件或成为有竞争力的电力电子器件
日本团队合作开发出高品质第三代100mm
氧化
镓外延片
氧化
镓功率半导体6英寸新突破,成本有望大降
世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上
氧化
镓成膜成功
HVPE法
6英寸
晶片
氧化镓
成膜
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