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厦门大学张洪良团队在
氧化镓
半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
重点研发“卡脖子”项目,同济大学
氧化镓
材料项目签约江苏无锡
同济大学第四代半导体
氧化镓
材料项目签约无锡高新区
同济大学第四代半导体
氧化镓
材料项目落地江苏省无锡市高新区
同济大学
第四代
半导体
氧化镓
材料
项目
江苏省
无锡市高新区
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化镓
纵向FinFET
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗
氧化镓
纵向FinFET
厦门大学张洪良团队在宽禁带
氧化镓
半导体掺杂电子结构研究取得进展
厦门大学教授张洪良:
氧化镓
薄膜外延及电子结构研究
南京邮电大学
氧化镓
创新中心(IC-GAO)
氧化镓
日盲紫外阵列成像器件研究取得新突破
CASICON 2023长沙站:氮化镓、
氧化镓
及其他新型半导体技术进展探讨
镓仁半导体完成数千万天使轮融资,加速
氧化镓
中试线研发等
厦大研究团队在高灵敏、自供电
氧化镓
日盲紫外光电探测器研究取得进展
闻泰科技:已布局第三代化合物半导体 暂无
氧化镓
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闻泰科技:已布局第三代化合物半导体,暂无
氧化镓
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国内首批!铭镓半导体实现4英寸
氧化镓
晶圆衬底技术突破
国内第一!中国电科46所成功制备6英寸
氧化镓
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中国首颗6英寸
氧化镓
单晶成功制备,第四代半导体呼啸而来
中国科大龙世兵课题组研制出
氧化镓
垂直槽栅场效应晶体管
中国科大在
氧化镓
半导体器件领域取得重要进展
国产4英寸
氧化镓
晶圆衬底技术获突破!
新型超宽禁带半导体材料厂商铭镓半导体实现4英寸
氧化镓
晶圆衬底技术突破
宽禁带
氧化镓
半导体在压电与射频器件中的应用
4英寸
氧化镓
单晶生长与性能分析
山东大学成功研制高质量4英寸
氧化镓
晶体
一文读懂
氧化镓
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郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2
氧化镓
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氧化镓
中实现空穴超注入效应
日企将大规模量产
氧化镓
器件
外媒:日企将大规模量产
氧化镓
器件
A 轮融资近亿元!铭镓半导体将建国内首条
氧化镓
完整产业线
复旦大学卢红亮课题组在柔性
氧化镓
光电探测器方面取得重要研究进展 实现超灵敏的深紫外光探测率
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