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2025云南
晶体
大会前瞻|连科半导体胡动力:8/12吋碳化硅长晶炉技术进展及发展方向
2025云南
晶体
大会前瞻|中国科学院半导体研究所杨晓光:硅基III-V族材料外延及异质集成研究进展
2025云南
晶体
大会前瞻| 昆明理工大学邓家云:磷化铟晶圆力学性能与加工性能研究
2025云南
晶体
大会前瞻| 中国电子信息产业发展研究院解楠:氮化铝宽禁带材料发展现状及技术演进趋势研究
中国科学院微电子所研发成功互补单晶硅垂直沟道
晶体
管(CVFET)
会议通知 | 2025新一代半导体
晶体
材料技术及应用大会将于9月云南举办!
烁科
晶体
年产100万毫米碳化硅单晶项目正式启动!
中国科学家首创“蒸笼”方法“长出”高性能
晶体
管新材料
创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套
晶体
项目开工建设
日本先进半导体制造商Rapidus启动2nm GAA
晶体
管试制,首块晶圆亮相
苏州纳米所研制出氮化镓光子
晶体
面发射激光器
东京大学研发“掺镓氧化铟
晶体
”取代硅材料
深圳平湖实验室成功制备国内首个氮化铝/富铝镓氮高电子迁移率
晶体
管
氮矽科技推出TOLL封装的增强型硅基氮化镓(GaN)
晶体
管
刷新纪录!郑州大学实现大尺寸高质量金刚石激光
晶体
批量生长
大连理工大学团队:通过提高
晶体
质量增强 β-Ga₂O₃ 薄膜的光电突触可塑性
长光华芯“半导体光子
晶体
发光结构及其制备方法”专利公布
广州南砂晶圆申请用于PVT法生长碳化硅单晶的装料装置及应用专利,有效提高所制得碳化硅
晶体
的质量
中国科学院提出新型平面型面发光有机发光
晶体
管器件结构
苏州无热芯阳半导体申请新型衬底及其氧化物半导体场效应
晶体
管专利
投资100亿!高温超导硅单晶设备及
晶体
生产项目开工!
中国科大杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率
晶体
管研究方向取得重要进展
总投资5.2亿!烁科
晶体
二期项目,全面投产
镓仁半导体氧化镓单晶生长突破性成果在
晶体
领域顶刊Crystal Growth & Design上发表
金刚石基
晶体
管,里程碑突破!
中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.:用于超高分辨率micro-LED显示器的远程外延
晶体
钙钛矿
烁科
晶体
:全球首发12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅衬底
杭州镓仁半导体氧化镓衬底技术突破,助力客户实现2400V增强型
晶体
管
上海天岳申请一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC
晶体
专利,提高SiC衬底质量
晶体
材料及元器件厂商飞锐特完成数千万元A轮融资
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